图4.24(a)为单流程SFC:只有一个转移条件并转向一个分支的 单流程状态编程。图4.24(b)为选择结构SFC:要按不同转移 条件选择转向不同分支,执行不同分支后再根据不同转移条件汇 合到同一分支。图4.24(c)为并行结构SFC:要按同一转移条件 同时转向几个分支,执行不同的分支后再汇合到同一分支

(一)边缘分布函数 二维随机向量(X,Y)作为一个整体,具有分 布函数F(x,y) 其分量X和Y也都是随机变量,也有自己的分 布函数,将其分别记为Fx(x),Fy() 依次称为X和Y的边缘分布函数. 而把F(xy)称为X和Y的联合分布函数

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

第一章 蛋白质（酶）、核酸的分离纯化 第一节 引言 一、分离纯化的意义 二、分离纯化的要求 三、分离纯化的一般程序 第二节 蛋白质（酶）、核酸分离纯化的前处理 一、材料的选择与预处理 二、细胞的破碎 三、细胞器的分离 四、提取 第三节 分离纯化 一、 粗提纯 二、 精提纯 三、 纯度鉴定 第四节 生物大分子的浓缩、干燥及保存 第二章 离心技术 ▪ 离心技术概论 ▪ 一般制备离心 ▪ 超离心技术 第三章 层析技术 引言 层析法的基本原理 层析法的分类 第一节 吸附层析技术 第二节 分配层析技术 第三节 凝胶过滤层析技术 第四节 离子交换层析法 第五节 亲和层析法 第六节 高压液相层析（HPLC） 第四章 电泳技术 引言 第一节 电泳的基本原理 第二节 聚丙烯酰胺凝胶电泳 第三节 琼脂糖凝胶电泳 第四节 免疫电泳 一、概述 二、聚丙烯酰胺凝胶的制备 三、凝胶浓度和交联度与孔径大小的关系 四、不连续聚丙烯酰胺凝胶电泳

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流

云南植被分类系统 一、植被型组 二、植被型一高级单位 三、植被亚型