3.1离散时间信号 3.2LT离散系统的响应 3.3单位序列和单位序列响应 3.4卷积和 3.5解卷积

第二节 市场选择战略 一、评估细分市场 二、选择目标市场 三、目标市场战略 四、影响目标市场战略的因素 第三节 市场定位战略 一、市场定位的含义定位的起源 二、市场定位的步骤 三、市场定位的方式 四、市场定位的战略

实验一 位置随动系统的特性实验 实验二 位置随动系统的串联校正

7.1 分程控制系统 7.2 阀位控制系统

PART填空题 1.某分组码的最小码距是16,该码用于纠错,可保证纠正位错。若用于检 错,可保证检出位错

一.某分组码的最小码距是7,若该码用于纠错,可保证纠正多少位错?若用于检错,可保证检出多少位错?

PART填空题 1.某分组码的最小码距是16,该码用于纠错,可保证纠正位错若用于检错,可保证 检出位错

第一章绪论 一、微机硬件基础 1、发展概况(CPU) 第一代:4位, Intel44004, 第二代:8位,Inte188080等, 第三代:16位, Intel88086,80186,80286等, 第四代:32位, Intel80386,80486等, 第五代:64位, Intel5586(Pentium), Power PC等, 第六代:64位, Pentium Pro, Pentium2及以上

第一节 点缺陷 POINT DEFECTS 点缺陷的形成 点缺陷的浓度 点缺陷的运动 点缺陷与材料行为 第二节 位错的基本概念 PRIMARY CONCEPT OF DISLOCATION 位错学说的产生 位错的基本类型和特征 位错的运动 第三节 位错的弹性性质 THE ELASTIC NATURE OF 位错的应力场 位错的应变能 作用在位错上的力 位错的线张力 位错与点缺陷的交互作用 位错间的交互作用力 第四节 位错的增殖 位错的密度 位错的增殖 第五节 实际晶体结构中的位错 THE DISLOCATION IN ACTUAL CRYSTAL STRUCTURE 实际晶体 结构中的 伯氏矢量 堆垛层错 不全位错 位错反应 面心立方 第五节 表面与界面 外表面 晶界与亚 晶界 孪晶界 相界

由于仅用实验或计算来研究涉及离子的物理和化学过程很难实现，因此，结合先进分析技术与电化学测试，如发展原位表征，在更好地理解超级电容器电极中的离子行为上极具前景。在这里，我们简要地回顾了几种典型的原位技术以及这些技术揭示的超级电容器中电荷存储的机制，以及高性能电极材料可能的设计策略