模拟的依据 由电磁场理论可知,稳恒电流电场和静电场的空间分布是一致的,只要电极形状一定, 电极电势不变,空间介质均匀,在任何一个考察点,均有E稳恒=E静电或稳恒静电 (可以同轴圆柱形电缆的“静电场”和相应的“稳恒电流场”来讨论这种等效性),因此, 欲测绘静电场的分布,只要测绘相应的稳恒电流的电场即可

测定了不同Cu含量的Cu-Nb-Ni-Cr-Mo钢在450~650℃时效时的硬度变化曲线,并结合光学金相与电镜观察分析了时效过程中的组织变化与脱溶沉淀行为.实验结果表明:时效硬化是ε-Cu析出强化,Nb的碳氮化物以及含Cr的碳化物强化综合作用的结果:相同时效温度下,含Cr碳化物的时效峰在时效后期出现;在低钢钢中,时效前期出现的ε-Cu时效峰与Nb的碳氢化物时效峰重叠;在高钢钢中,由于铜含量升高,ε-Cu时效峰出现时间缩短,ε-Cu时效峰与Nb的碳氨化物时效峰逐渐分离

分别采用解剖、总氧分析(T[O])、原位统计分析、金相显微镜统计分析和小样电解实验研究了16.8 t高压锅炉管钢P12铸锭中夹杂物的分布.发现在铸锭的上中部存在夹杂物数量较低的负偏聚区域,而在中心及尾部中心部位存在夹杂物数量较高的正偏聚区域.为了表征夹杂物的偏聚程度,提出了夹杂物偏聚指数的新概念.总氧分析和原位统计分析结果表明铸锭中下部氧化物夹杂物偏聚指数达到1.4~1.6,而在上中部氧化物夹杂物的偏聚指数为0.5~0.7.金相统计分析和小样电解实验可同时分析钢中氧化物和硫化物等夹杂,其分析结果表明铸锭上中部夹杂物的偏聚指数为0.7~0.8,铸锭中下部夹杂物的偏聚指数为1.15~1.35.铸锭中心及锭尾中心区域氧化物夹杂平均尺寸明显大于其他区域,表明大夹杂物在上浮过程中被结晶雨捕获并沉降到底部是铸坯中下部夹杂物偏聚的主要机制

1 为用电测法测量材料的弹性模量 E 和泊松比 µ ,将材料加工成矩形截面拉伸试件。试设计 解题分析： 试件受轴向拉力，横 实验时的布片方案和接桥方案

什么是实验设计? 实验是研究者实际上在各个研究领域进行的,通常是要发现 关于一个特定过程或系统的某些事情。从字义上说,一个实验是 个试验。一个设计的实验是一个试验或一系列试验,它对一个 过程或系统的输入变量作一些有目的的改变,以使能够观察到和 识别出引起输出响应变化的缘由 所研究的过程或系统可以用图1-1所示的模型来表示。通常 可以形象地将过程看作为机器、方法、人,以及其他的资源的 种组合,它把一些输入(经常是一种物质)转变为有一个或多个可 观察的响应的一种输出

9-1电位分析法基本原理及实验装置 9-2离子选择性电极 9-3离子选择性电极的性能参数 9-4直接电位法 9-5电位滴定法

测试分析了酚醛树脂碳化产物组装的锂离子充放电性能.实验结果表明,树脂碳化产物作为锂离子电池碳电极材料时,其碳化处理温度有一个最佳温度范围,酚醛树脂碳化产物的最佳温度在700℃左右;树脂碳化产物的比表面积是影响电池充放电性能的重要因素,碳化产物的比表面积越大,电池的充放电量就越高,电池充放电量与充放电电流密度成反比

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为了改善M2高速钢中的碳化物分布，通过数值模拟详细分析了结晶器旋转对M2高速钢电渣重熔过程温度场、金属熔池形状的影响，并进一步通过实验室双极串联结晶器旋转电渣炉研究了旋转速率对M2高速钢电渣重熔过程的影响。采用扫描电镜观察并分析了结晶器旋转对电渣锭中碳化物形貌、分布的影响；采用小样电解萃取实验，分析了结晶器旋转速率对碳化物组成的影响。结果发现，随着结晶器旋转速率的增加，渣池的高温区从芯部向边部迁移，温度分布更加均匀；金属熔池的深度变浅，两相区的宽度收窄，从而导致局部凝固时间降低、二次枝晶间距减小。与此相对应，随着结晶器旋转速率的增加，M2电渣锭的渣皮更薄、更加均匀，结晶器对电渣锭的冷却强度更大，碳化物网格开始破碎、变薄，碳化物由片状改变为细小的棒状。X射线衍射分析表明，不论结晶器是否旋转，碳化物的类型始终不变，由M2C、MC和M6C组成，但是随旋转速率增加M2C含量增加，MC和M6C含量降低。碳化物组织得以改善的主要原因在于，结晶器旋转导致金属熔池深度降低、两相区宽度收窄，改善了凝固条件，减轻了元素偏析

以鳞片石墨为原料，采用化学氧化还原法制备了高品质的石墨烯.借助X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察、氮气吸附-脱附实验、恒流充放电实验、循环伏安法和交流阻抗谱技术对石墨烯的结构、形貌、表面性能和超级电容性能进行了系统研究.X射线衍射、扫描电镜和透射电镜结果表明，石墨烯整体上呈现无序结构，外观具有蓬松、透明的薄纱状及本征性皱褶，其BET比表面积为14.2m2·g-1，总孔容为0.06cm3·g-1，平均孔径为17.3nm.交流阻抗谱测试结果表明，石墨烯电极具有较小的阻抗，其等效串联电阻为0.16 Ω，电荷传递电阻为0.55 Ω.恒流充放电和循环伏安测试结果显示：石墨烯电极具有良好的功率特性和循环稳定性，电容特征显著.在2、5、10和20mV·s-1扫描速度下的放电比电容分别为123、113、101和89 F·g-1；即使是50mV·s-1的高扫速，放电比电容仍可达69F·g-1