一、什么是胚胎学? 定义一胚胎学是研究个体在母体子宫内正常发育过程及其机理的科学,同时也研究先天性畸形的发生及其预防。 研究一正常发育、先天性畸形

采用Cu-CuSO4-16%H2SO4浸泡实验、双环电化学动电位再活化(DL-EPR)法和动电位交流阻抗(DEIS)研究了不同热处理状态00Cr12Ti在0.1 mol·L-1 H2SO4+0.0001 mol·L-1 KSCN溶液中的电化学行为.结果表明:1000℃保温2 h的试样发生敏化,650℃保温2 h的试样不发生敏化.不同热处理状态主要影响合金的再活化过程,对合金的活化过程影响很小.在再活化过程中,对于1000℃保温2h试样,容抗弧显著减小而后逐渐增大,且低频区出现负阻抗,发生钝化膜的破裂和修复;而650℃保温2 h试样钝化膜相对稳定,没有发生钝化膜破裂和修复.发生晶间腐蚀后,1000℃保温2 h试样电荷转移电阻(Rct)明显小于650℃保温2 h试样的钝化膜电阻(Rp),这是由敏化试样发生局部腐蚀造成的

测定了Fe2O3在熔融还原合成渣中被碳还原时,还原气体产生泡沫渣的高度与时间的关系.由发泡特性参数方程计算了不同条件下的发泡特性参数,从而可以对熔融还原过程中由内生气源引起的发泡过程进行定量描述。为在铁浴中控制泡沫渣现象提供了必要的基础

为了有效地挖掘事件序列频繁情节,提出了一种广义后缀树结构发现和存储频繁情节．此结构利用广义后缀概念并且树中只包含频繁情节结点,用频繁情节发生列表逐层构建的方法提高了建树效率．该方法充分利用了事件序列的有序特点,可用于发现各类频繁情节．实验结果表明该算法性能优于Apriori-like频繁情节发现算法．

采用反应烧结法制备了MgAlON结合的镁质、镁铝尖晶石质和刚玉质试样,研究了不同主晶相对MgAlON单相结合相形成温度的影响及化学反应引起的体积膨胀和氧化物挥发对材料烧结的影响.结果表明:虽然用以形成MgAlON结合相的混合细粉的组成和数量都相同,但MgAlON结合的镁质、镁铝尖晶石质和刚玉质试样中形成MgAlON单相结合相的温度是不同的,依次呈升高趋势;MgAlON结合镁质试样在烧成过程中体积显著膨胀,MgO大量挥发,烧后试样镁砂颗粒和基质结合松散,密度低,强度小;MgAlON结合刚玉试样在烧成过程中体积膨胀小,氧化物挥发少,烧后试样刚玉颗粒和基质结合紧密,密度较高,强度较大;而MgAlON结合镁铝尖晶石试样烧成过程中的体积膨胀量、氧化物挥发量,烧后试样颗粒和基质的结合程度、密度和强度都介于前两者之间

通过对Cu-0.2%Al合金施加直流、交流和脉冲电场发现,Cu液中溶质Al的活度系数随电场强度的增加,呈不同程度的减小趋势.为了进一步研究溶质Al的活度减小的原因,对Al-5%Cu合金在熔融状态下进行了液态淬火.通过淬火后的金相组织观察发现,电场作用下液态金属的结构发生了明显的变化,溶质在合金溶液中的分布发生了沿某一个方向聚集的现象.从而揭示了电场作用下二元系合金中溶质活度变化的本质,并在此基础上建立了电场作用下二元系合金中溶质活度变化的理论模型

通过对LF前-LF后-中间包-连铸工艺生产40Cr钢各环节系统取样,以及电子显微镜对夹杂物的形貌、尺寸及组成的分析,发现40Cr铸坯中含有大量CaO(CaS)-Al2O3-MgO类复合夹杂.采用Factsage计算得到的CaO-CaS-Al2O3三元相图对钙处理后CaO(CaS)-Al2O3夹杂形成过程进行了理论计算;并对实际发现的CaO(CaS)-Al2O3-MgO类复合夹杂物的面扫描分布进行描边处理,探讨了该类夹杂物的组成和形成过程.经Factsage理论计算发现,CaO-CaS-Al2O3三元相图中液相区各成分质量分数为CaO 32%~58%、CaS 0%~5%以及Al2O342%~65%,钙处理后CaO含量有逐渐增加,CaS含量有逐渐减小趋势.结合夹杂物的面扫描分布发现,CaO(CaS)-Al2O3-MgO类复合夹杂物的组成为xCaO·yAl2O3+mMgO·nAl2O3+Al2O3+CaS,钙处理后Ca能够使Al2O3变性为CaO-Al2O3,但同时夹杂物中也有很高的CaS成分,随着钙处理的充分进行,CaS将由内及外向CaO-Al2O3逐渐转变

给出了一个多Agent松散耦合的网格服务发现框架.在该框架中把Agent分为三类:服务Agent、需求Agent和服务发现Agent.提出以模糊Petri网作为服务描述语言的规范,用以发布或请求服务,用可能性变迁表示一个服务或一个需求,输入库所代表在提供(或请求)服务前需要成立的前提条件,输出库所表示提供(或获得)服务后成立的条件,用可能性与必然性来量化一个服务Agent能对一个请求提供相关服务的信心程度.最后基于本体论给出了一个支持部分匹配的服务匹配算法,并用一个车辆维修服务系统的例子进行了说明

采用通量箱、比表面积分析仪、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪测试了电石法聚氯乙烯(PVC)行业中高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率、比表面积、成分及汞形态.研究表明:高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率分别为1.04×10-7、5.90×10-8和2.47×10-4mg·g-1·min-1.高汞触媒使用后氯化汞被还原为单质汞,且汞吸附于触媒表面,导致废高汞触媒汞挥发速率远高于新汞触媒

以从河南铝土矿样筛选出的一株胶质芽孢杆菌HJ07为出发菌株,对其进行紫外(UV)与亚硝基胍(NTG)诱变育种及铝土矿浸矿脱硅研究.分别通过紫外线照射120 s与采用质量浓度为600 mg·L-1的亚硝基胍处理,出发菌株HJ07的致死率分别达到89%与90%,正突变率分别达到16.5%与18.7%.从突变菌株中筛选所得的两株菌种UV-2与NTG-5的生长代谢活性与脱硅能力明显比出发菌株高.在铝土矿浸出体系中,UV-2与NTG-5达到生长稳定期的时间比HJ07分别缩短了48 h与24 h,且生长稳定期具有更大的细菌浓度.浸矿12 d后,UV-2与NTG-5菌株浸出液中SiO2的质量浓度分别比HJ07提高了约25.6%与12.5%,且达到浸出终点的时间分别缩短了3 d和2 d.UV-2与NTG-5菌株较出发菌株HJ07具有更强的产酸与产胞外聚合物的能力.被UV-2菌株作用后的铝土矿表面的溶蚀程度更加显著,矿物表面形成了明显的菌胶团