例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

5.2初始基本可行解 本节来介绍求(TP)的一个初始基本可行解的两种方法:西北角法和最小元素法 如§5.1所言,运输问题的求解过程并不象一般线性规划问题一样借助于单纯形表,而是借助于运输表来实现:但其算法在理论基础、基本思想、算法步骤(包括初始基本可行解的选取、最优性的验证、转轴)等各方面都和单纯形法是一致的供需平衡型运输问题的运输表:∑a=∑b

一、均衡价格的含义 二、均衡价格的形成 三、市场均衡价格的变动 四、供求定理

1、梁的变形分析 2、挠曲轴近似微分方程 3、积分法求变形。 4、叠加法求梁的变形 5、静不定梁

2.3对偶单纯形法 一、对偶单纯形法是求解对偶规划的一种方法 二、对偶单纯形法:利用对偶理论得到的一个求解线性规划问题的方法

实验目的 1、直观了解统计基本内容。 2、掌握用数学软件包求解统计问题。 实验内容 1、统计的基本理论。 2、用数学软件包求解统计问题。 3、实验作业