§8.1 表面吉布斯函数与表面张力 表面吉布斯函数σ 表面张力σ 影响表面张力的因素 巨大表面系统的表面吉布斯函数 §8.2 纯液体的表面现象 1. 弯曲液面的附加压力 2. 曲率对蒸气压的影响 3. 液体的润湿与铺展 4. 毛细管现象 §8.3 气体在固体表面上的吸附 1.气固吸附的一般常识 2.Langmuir单分子层吸附等温式 3.BET吸附等温式：多分子层气固吸附理论 4.其它吸附等温式 §8.4 溶液的表面吸附 1. 溶液表面的吸附现象 2. Gibbs吸附公式 3. 表面活性剂的吸附层结构 4. 表面膜 §8.5 表面活性剂及其作用 1.表面活性剂的分类 2.胶束和临界胶束浓度 3.表面活性剂的作用 §8.6 分散系统的分类 §8.7 溶胶的光学和力学性质 1.丁达尔（Tyndall）效应 2. 布朗（Brown）运动 3. 扩散 4. 沉降和沉降平衡 §8.8 溶胶的电性质 1.电动现象：电泳；电渗 2.溶胶粒子带电的原因 3.溶胶粒子的双电层 4.溶胶粒子的结构——胶团 §8.9 溶胶的聚沉和絮凝 1. 外加电解质对聚沉的影响 2. 溶胶的相互聚沉 3. 絮凝 §8.10 溶胶的制备和净化 §8.11 高分子溶液

本章主要内容： · 综合评分法、综合平衡法、排队打分法； · 水平数不同的正交表的使用，包括直接套用混合正交表、并列法、拟水平法、混合水平有交互作用的正交设计； · 活动水平法、组合因素法；分割试验法；部分追加法

一、转录组测序简介 二、基因注释和注释库简介 三、转录组测序技术方法及数据分析 表达序列标签(EST) 基因表达系列分析(SAGE) 新一代高通量测序技术(RNA-seq)

一、 教学基本要求 电路的一般分析是指方程分析法，是以电路元件的约束特性（VCR）和电路的拓补 约束特性（KCL、KVL）为依据，建立以支路电流或回路电流或结点电压为变量的电路 方程组，解出所求的电压、电流和功率

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

◼ 计算机的存储系统主要包括内存储器和外存储器。 ◼ 外存储器保存的信息必须进入内存储器后才能被处理器运行。 ◼ 存储器管理是操作系统的主要功能之一。 ◼ 内存管理分为连续管理方式和离散管理方式。 ◼ 6.1 存储器管理概述 ◼ 存储器的层次 ◼ 程序准备执行 ◼ 覆盖技术 ◼ 紧凑技术 ◼ 对换技术 ◼ 6.2 连续存储空间管理 ◼ 6.3 分页式存储管理 ◼ 6.4 分段式存储管理

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

重点： 1.动态电路方程的建立及初始条件的确定； 2.一阶电路的零输入响应、零状态响应和全响应求解； 3.稳态分量、暂态分量求解； 4.一阶电路的阶跃响应和冲激响应

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流

1.明确国际贸易的研究对象与内容。 2.掌握国际贸易的基本概念与分类,进行国际贸易分析。 3.阐述国际贸易的产生与发展。 4.认识国际贸易的作用与特点。 第一节 国际贸易研究的对象与内容 第二节 国际贸易的基本概念与分类 第三节 国际贸易的产生与发展 第四节 国际贸易的作用与特点 第五节 国际贸易的法律环境