针对富水充填材料的凝结性能受石膏种类影响的问题,采用X射线衍射、扫描电镜、红外光谱等微观实验,分析富水充填材料硬化体的组成,探讨二水石膏和半水石膏对富水充填材料性能影响的机理.结果表明:以硫铝酸盐水泥-石膏-石灰为主的富水充填材料体系中,为保证正常的凝结硬化,石膏应为二水石膏;如以半水石膏为原材料,在7 d龄期时仍不具有强度;二水石膏充足时生成的钙矾石晶体呈细针状,二水石膏不足时生成的钙矾石晶体为六棱短柱状;富水充填材料的强度主要来源于硫铝酸盐水泥-石膏-石灰反应生成的钙矾石,而不是水泥自身水化的水化硫铝酸钙、铝胶和氢氧化钙

以纤维素为原料，通过在氮气氛下炭化和水蒸气活化得到纤维素基炭。采用热分析、傅里叶红外光谱、X射线衍射及低温N2吸附测试手段研究了纤维素的炭化和活化过程以及过程中炭微晶结构和比表面积的变化。纤维素分子结构中的C-OH、C-O-C、C-H等基团在280~380℃之间大量分解，380℃后少量裂解产生的小分子碎片或基团持续分解，同时碳元素发生结构重排，形成石墨微晶。炭化温度是影响纤维素基活性炭微晶结构及孔结构的关键因素，随炭化温度的升高，石墨微晶尺寸变大，孔结构得到发育，但活性炭的比表面积则呈先增加后下降趋势，当炭化温度为600℃时所得活性炭比表面积最大；炭化时间对炭微晶结构及比表面积的影响不显著；随着活化时间的延长，先是炭结构中的非微晶碳被氧化，比表面积及总孔容积变大，然后微晶碳被氧化，微晶结构被破坏，炭中部分微孔变成中孔或大孔，导致比表面积及总孔容积变小，当微晶间的非微晶碳被充分氧化而又不破坏原微晶结构时得到的炭孔隙最丰富

研究了在碳化硅辅助吸波作用下,低品位红土镍矿在微波场中的干燥过程.采用热重分析(DTG)、X射线衍射(XRD)和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)分析考察了添加不同质量分数碳化硅对失重率和产物物相的影响.结果表明:碳化硅与红土矿配比R为2.2:1时,微波干燥处理低镍、铁品位红土矿30min,既可快速脱除矿物绝大部分表面吸附水和部分结晶水;通过控制碳化硅的比例还可以避免过热现象.微波能够改变红土矿的微观结构,促进矿物的分解.进一步的氢还原实验表明,微波干燥有利于红土矿中镍和铁氧化物的还原,其还原率高于常规干燥

实验一 光学实验预备知识 （2） 实验二 薄透镜焦距的测量 （7） 实验三 分光计的调节和使用 （10） 实验四 用迈克尔逊干涉仪测量激光波长 （14） 实验五 用牛顿环测透镜曲率半径 （17） 实验六 双棱镜干涉实验（22） 实验七 棱镜玻璃折射率的测量 （26） 实验八 光度的测量 （28） 实验九 光波波长的测量及光栅特性的研究 （30） 实验十 用迈克尔逊干涉仪测量钠光D双线的波长差 （34） 实验十一 偏振现象的观察与分析 （37） 实验十二 光的衍射现象研究 （43） 实验十三 光谱的拍摄 （46） 实验十四 照相技术 （50） 实验十五 超声光栅测声速 （55） 实验十六 漫反射全息图的拍摄 （59） 实验十七 利用光电效应测定普郎克常数 （63） 实验十八 利用干涉仪测定空气折射率 （66） 实验十九 阿贝成像原理和空间滤波 （69）

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实验一 三聚氰胺－甲醛树脂的合成及层压板制备 实验二 膨胀计测定苯乙烯自由基聚合动力学 实验三 醋酸乙烯酯的乳液聚合 实验四 苯乙烯-顺丁烯二酸酐的共聚及共聚组成测定 实验五 苯乙烯与二乙烯苯的悬浮共聚 实验六 聚丙烯的结晶形态与性能 实验七 聚合物熔体流动速率及流动活化能的测定 实验八 交联对聚合物温度——形变曲线的影响 实验九 塑料耐热性能的测定 实验十 塑料常规力学性能的测试 实验十一 低剪切速率下聚合物流动曲线的测定 实验十二 聚合物动态力学性能的测定 实验十三 黏度法测定聚苯乙烯的分子量 实验十四 阳离子交换树脂的制备 实验十五 非均相聚合体系中的粒径分布测定与控制 实验十六 高聚物的红外光谱结构研究 实验十七 环氧树脂粘合剂 实验十八 水质稳定剂-低分子量聚丙烯酸（钠盐)的合成和分析 实验十九 涂料用丙烯酸酯树脂的合成与应用 实验二十 漆膜性能表征 实验二十一 聚丙烯酸类高吸水树脂的制备与其吸水倍数的测定 实验二十二 聚氨酯泡沫塑料的制备 实验二十三 聚合物表面的接触角测定

聚铝碳硅烷是耐超高温Si-Al-C纤维的先驱体.为了制备合适的先驱体,采用聚硅碳硅烷与乙酰丙酮铝反应合成聚铝碳硅烷,并对其反应机理进行了详细的研究.其中聚硅碳硅烷是含有Si-Si-Si和Si-C-Si的低聚物.通过在反应过程中从反应体系中抽取样品,并采用FTIR、GPC、1H-NMR、27Al-NMR和紫外可见光谱对反应过程进行追踪分析.结果表明:反应过程中存在Si-Si-Si向Si-C-Si转化的Kumada重排反应;乙酰丙酮铝的交联作用使得聚铝碳硅烷的相对分子质量和支化度大大提高,乙酰丙酮铝的反应主要发生在330℃以下和400℃以上,反应产物中Al以Si-O-Al结构存在

在气体循环条件下采用H2、CH4和Ar的混合气体,利用100kW直流电弧等离子喷射CVD系统,在850和950℃下在Mo衬底上沉积了不同厚度的金刚石膜;并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱对膜的形貌、品质、取向和残余应力进行了分析.结果表明:在850℃下,随着金刚石膜厚度的增加,膜的品质不断提高,残余应力逐渐减小,且残余应力为拉应力,膜的生长稳定性很好;在反应气体流速不变的条件下,相比950℃沉积的厚度为120μm的金刚石膜,在850℃下沉积的厚度为110μm的金刚石膜有更好的生长稳定性,膜的品质更高,残余应力更小

提出了一种在高温高压下利用粉末冶金方法制备的Fe-Ni-C-B系触媒合金生长Ⅱb型金刚石的新方法.由于硼元素的存在,Ⅱb型金刚石生长所需的温度和压力条件均高于普通的Ⅰb型金刚石,并且合成出的金刚石单晶粒度较粗,晶形稍差,表面结构比较复杂.通过晶体的颜色、X射线衍射以及Raman光谱可以初步断定合成出的金刚石晶体中确实含有硼元素.以金刚石在不同温度下的静压强度和冲击韧性以及差热分析和热重分析的结果来表征金刚石的热稳定性.实验发现,由于硼元素的进入使得Ⅱb型金刚石单晶的热稳定性与采用同种方法合成出的Ⅰb型金刚石相比有了较大程度的提高.采用自制的夹具通过检测金刚石的电阻温度特性,初步确定了在Fe-Ni-C-B系中生长的Ⅱb型金刚石具有半导体特性.大量的实验数据充分说明,采用这种方法生产Ⅱb型金刚石具有成本低廉、操作简单、产品质量稳定等优点,具有极高的工业化推广应用的价值