2.1 概述 2.2 逻辑代数中的三种基本运算 2.3 逻辑代数的基本公式和常用公式 2.5 逻辑函数及其表示方法 2.4 逻辑代数的基本定理 2.6 逻辑函数的化简方法 2.7 具有无关项的逻辑函数及其化简

4.1 概述 4.2 组合逻辑电路的分析方法和设计方法 4.3 若干常用的组合逻辑电路 4.4 组合逻辑电路中的竞争-冒险现象

一、点火控制系统的发展 点火系统最基本的原理是通过断电开关控制点火线圈一次电流的大小和断电时间,从而控 制点火的能量和时刻,保证发动机汽缸内的混合气彻底燃烧 °

9.1 I/O接口扩展概述 9.1.1 扩展的I/O接口功能 9.1.2 I/O端口的编址 9.1.3 I/O数据的传送方式 9.1.4 I/O接口电路 9.2 AT89S52扩展I/O接口芯片82C55的设计 9.2.1 82C55芯片简介 9.2.2 工作方式选择控制字及端口PC置位/复位控制字 9.2.3 82C55的3种工作方式 9.2.4 单片机扩展82C55的接口设计 9.2.5 AT89S52扩展82C55的应用举例 9.3 利用74LSTTL电路扩展并行I/O口 9.4 用AT89S52单片机的串行口扩展并行口 9.4.1 用74LS165扩展并行输入口 9.4.2 用74LS164扩展并行输出口 9.5 用I/O口控制的声音报警接口 9.5.1 蜂鸣音报警接口 9.5.2 音乐报警接口

通过试验研究含初始损伤混凝土在硫酸盐腐蚀和干湿循环共同作用下的性能,分析了不同初始损伤程度混凝土随腐蚀时间的增加,其质量、超声波传播速度、强度、单轴压缩应力应变曲线以及声发射活动的变化,运用损伤力学对腐蚀损伤进行定量评价和参数拟合,基于声发射特性建立含初始损伤混凝土的腐蚀受荷损伤模型并进一步分析其损伤演化过程,借助环境扫描电镜与电子能谱技术观测分析受硫酸盐腐蚀作用初始损伤混凝土微结构的变化,揭示其损伤机理.试验结果表明,随着腐蚀时间的增加,不同初始损伤程度混凝土的质量、超声波传播速度和强度均呈先增大后减小,初始损伤程度增加会加速混凝土在腐蚀作用下物理力学性能的劣化,其影响存在阈值,分别以抗压强度、超声波速为损伤变量可以建立混凝土的腐蚀损伤劣化方程,并进一步得出不同损伤表达式间的函数关系;相同腐蚀时间下,初始损伤的增加使声发射活动减弱且产生明显的声发射的时间滞后;初始损伤下,基于声发射特性的混凝土损伤演化过程可分为初期压密阶段、损伤稳定演化阶段和损伤加速发展阶段3个阶段;初始损伤的增加使混凝土内部腐蚀反应更为活跃,微裂纹网络体系比无初始损伤状态下更加发达,呈现龟裂状延伸和扩展,进而改变了混凝土的宏观物理力学性质

(1) Hole particle current from E to B (2)Electron particle current from B to E (3)Recombination current in B (4) Hole particle current originating in E and reaching C (5)Reverse electron particle current from c to B (6) Reverse hole particle current from b to c (What is difference between \current\ and\particle current ? OE F Schubert, Rensselaer Polytechnic Institute, 2003

The Bipolar Junction Transistor The term Bipolar is because two type of charges (electrons and holes) are involved in the flow of electricity The term Junction is because there are two pn Junctions There are two configurations for this device n-type p-type n-type

DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device

he World's Largest-Capacity 8kV/3.6kA Light-Triggered Thyristor by Katsumi sato* Mitsubishi Electric has developed an 8kV/3.6kA light-triggered thyristor (LTT) based on a six inch wafer for power-converter applications in igh-voltage DC transmission and back-to-back systems. New design features give the device

2.1组合逻辑电路的分析与设计方法 2.2加法器 2.3数值比较器 2.4编码器 2.5译码器 2.6数据选择器 2.7数据分配器 2.8只读存储器(ROM) 2.9可编程逻辑器件(PLD)