4-1概述 4-2配位平衡 4-3副反应系数和条件形成常数 4-4配位滴定法基本原理 4-5金属离子指示剂 4-6提高配位滴定选择性的途径 4-7配位滴定方式及其应用

4－1 线性和叠加定理 4－2 替代定理 4－3 戴维南定理和诺顿定理 4－4 特勒根定理 4－5 互易定理

§4 -1 化学反应的速率和机理 §4—2 基元反应的速率方程 §4—3 温度对反应速率的影响 §4—4 复杂反应的速率方程 §4—5 复杂反应的近似处理方法 §4—6 表观速率方程的参数确定

§4-1建筑总平面图§42建筑平面图 §4-3建筑立面图 §4-4建筑剖面图 §4-5建筑详图 §4-6工业厂房施工图 §4-7地下建筑

1适用范围 本方法适用于饮用水、地下水、地表水中质量浓度大于0.5ug/L的硝基苯酚的测定。包 括2一硝基苯酚、3一硝基苯酚、3一硝基苯酚、4一甲基2一硝基苯酚、3一甲基4一硝基 苯酚、5一甲基2一硝基苯酚、3一甲基—2一硝基苯酚、2,4一二硝基苯酚、2,5一二硝基苯酚、 2,6二硝基苯酚、2,4一二硝基6一甲基苯酚、2,6一二甲基—4硝基苯酚、2,4一二氯一6 一硝基苯酚、2,6一二氯4硝基苯酚

6.5.1稳定放大倍数 对于深度负反馈A=稳定

第一章 概述 1．1 SOPC 的概念 1．2 SOPC 系统设计流程 1．3 SOPC 系统开发环境 1．4 本书中的系统配置 第二章 SOPC 系统构架 2． 1 系统模块框图 2． 2 Nios CPU 2． 3 Avalon 总线 2． 4 外设 IP 模块 第三章 系统硬件开发 3．1 硬件开发流程 3．2 创建 Quartus II 工程 3．3 创建 Nios 系统模块 3．4 编译设计（Compilation） 3．5 编程（Programming） 3．6 下载设计到 Flash 存储器 第四章 系统软件开发 4．1 软件开发流程 4．2 软件开发环境 4．3 文件系统 4．4 软件开发工具 4．5 可配置的处理器硬件属性 4．6 Nios SDK 4．7 软件开发应用 4．8 使用.hexout 4．9 其它的开发板通信和调试方法 4．10 Nios SDK Shell 提示信息 4．11 在 Nios 系统中实现中断服务程序（ISR） 4．12 用户自定义指令 第五章 系统模拟与调试 5．1 软件配置 5．2 模拟设置 5．3 ModelSim 模拟 5．4 模拟结果分析 5．5 增加/删除波形图信号 5．6 片外存储器模拟 5．7 调试 第六章 系统设计实例 6．1 建立硬件需求 6．2 创建一个基本的 Nios 设计 6．3 GDB 调试 6．4 添加用户外设 6．5 RTL 仿真 6．6 Flash 编程 6．7 用户指令和 DMA 6．8 MP3 播放器 附录 1：Nios 嵌入式处理器 32 位指令集 附录 2：Nios 嵌入式处理器开发板－APEX 20K200E 附录 3：Nios 嵌入式处理器开发板－Cyclone_1C20 附录 4：Nios 嵌入式处理器开发板－Stratix_1S10 附录 5：Nios 嵌入式处理器开发板－Stratix_1S40

研究了500℃高温条件下注氢对V-4Cr、V-4Ti和V-4Cr-4Ti三种合金微观结构的影响.在注氢实验之前,V-4Cr合金的基体清晰干净,而V-4Ti和V-4Cr-4Ti两种合金的基体中则出现很多相互平行和垂直的针状析出相,且大部分析出相周围都存在着位错.在500℃注氢实验之后,V-4Cr合金基体中出现大量的分布不均的黑色点状缺陷和缺陷簇,而V-4Ti和V-4Cr-4Ti两种合金的基体中除产生点状缺陷外,还出现高密度的气泡,且V-4Cr-4Ti合金中气泡的平均尺寸要稍小一些.另外,V-4Ti和V-4Cr-4Ti合金基体中原有的析出相在注氢实验之后都发生不同程度的溶解.在观察V-4Cr-4Ti合金基体中气泡分布规律时发现,在距离晶界25 nm的范围内几乎看不到气泡的存在,由此推断晶界的存在可以抑制氢气泡等辐照缺陷的产生

4.1 栈 4.2 栈的应用举例 4.3 队列

第二节 大血管