2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

金属材料是现代汽车制造业应用最为广泛的材料。金属材料分为黑色金属（钢铁材料）和有色金属。汽车上各种结构零件，钢铁材料约占80%。 本章重点介绍金属材料特别是钢铁材料的性能、结构、牌号及在汽车上的应用。 1. 晶体结构的基本概念：晶体，晶格，晶胞，三种常见的金属晶格。单晶体，晶粒，多晶体。 2. 固溶体、化合物的晶体结构及性能特点。固溶强化及其实际应用。 3. 相和组织的概念。 4. 铁碳合金相图

如果在晶体中存在温度梯度 w能流密度:0=-d一单位时间内通过单位面积的热能,其中为品体的热导系数。 不考虑电子对热传导的贡献,晶体中的热传导主要依靠声子来完成 当样品中存在温度梯度时,“声子气体”的密度分布是不均匀的。温度较高的区域将有产生较多的振 动模式和具有较大的振动幅度,即有较多的声子被激发,“声子”密度高。这些声子通过和晶体中其 它声子发生碰撞,使得温度较低的区域具有同样的“声子”密度

1895年伦琴发现X射线后,认为是一种波, 但无法证明。 当时晶体学家对晶体构造(周期性)也没 有得到证明。 1912年劳厄将X射线用于CuS04晶体衍射同时 证明了这两个问题,从此诞生了X射线晶体衍 射学

采用一维固-流结构矩形掺杂声子晶体中弹性波横向受限的条件,推导出弹性波在其中各个模式满足的关系式.利用它分析了弹性波各模式的特性,并使用转移矩阵法研究了弹性波的缺陷模随模式量子数和矩形边长的变化规律,得出了一些不同于一维非受限声子晶体的缺陷模的新特征.一维掺杂矩形声子晶体的缺陷模由模式量子数确定,缺陷模的频率和半高宽与模式量子数和矩形边长有关

第一讲 晶体学基础 第二讲 晶体中的点线面 第三讲 晶体投影 第四讲 点对称操作 第五讲 群论基础 第六讲 晶系 第七讲 分子点群 第八讲 晶体点群 第九讲 Bravais 格子 第十讲 非点对称操作 第十一讲 三维空间群 第十二讲 二维空间群 第十三讲 国际空间群表 习题与参考答案

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

考虑在均匀流场的作用下,分析了金属熔液凝固过程中晶体生长的三维稳态数学模型.应用傅里叶级数展开法,在周期性条件下得到了相应的八阶常微分方程的精确解析解,并确定了解中各系数之间的关系.该解揭示了在均匀流场的作用下,晶体生长呈现了一种周期性振荡式的模式,从理论上证实了固液界面前沿浓度呈现指数振荡衰减性是晶体生长的一个本质特性

结晶( Crystallization) 结晶是从蒸气、溶液或熔融物中析出晶体的过程。 由于晶体与气体、液体以及非晶体固体不同,所以晶体有 其自身的共同规律和基本特性

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展