§10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态  共发射极组态的参量  共发射极电路的扩展 北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程电子课件_第十章 晶体三极管放大电路基本组态 §10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态（1/2）

• 太阳能概况 • 晶体硅太阳能发电原理与发展简介 • 晶体硅太阳能电池的分类 • 生产晶体硅太阳能电池流程与设备 • 太阳能电池封装形式及加工介绍 • 晶体硅太阳能电池的应用

第六章分子结构与晶体结构 第一节引言 第二节价键理论 第三节分子轨道理论 第四节分子间作用力与分子晶体 第五节离子键与离子晶体 第六节其它晶体

3.1 反射光学基础 3.1.1 晶体的光吸收性 3.1.2 晶体的反射力和反射率 3.1.3 晶体的反射非均质性 3.2 反光显微镜及试样制备 3.2.1反光显微镜的构造 3.2.2反光显微镜的垂直照明器 3.2.3反光显微镜的调节和校正 3.2.4反光显微镜试样的制备 3.3 反射光下晶体的光学性质 3.3.1 晶体的反射率 3.3.2 晶体的反射色和反射多色性 3.3.3 晶体的内反射和内反射色 3.3.3 晶体的双反射、偏光色和偏光图 3.4 反射光下的腐蚀试验、显微硬度研究和 3.4.1试祥光片的腐蚀试验 3.4.2 晶体的显微硬度 3.4.3 反射光下晶体的鉴定 3.5 光学显微镜下晶体的显微结构特征 3.5.1 晶体的形态学研究 3.5.2 晶体的显微结构特征

固体的分类：按原子(或分子)的聚集状态分为晶体和非晶体（可以互相转换）。晶体的特点：基本质点在空间规则排列,具有规则的外形；具有一定熔点；各向异性

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

一、填空(20分,每题2分) 1.对晶格常数为a的SC晶体,与正格矢R=ai+2a+2ak正交的倒格子晶面族的面指数为(),其面间距为() 2.典型离子晶体的体积为V,最近邻两离子的距离为R,晶体的格波数目为(),长光学波的()波会引起离子晶体宏观上的极化

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

本文分析了PWM放大器晶体管各阶段的工作状态,给出最佳基极驱动电流波形并提出了根据晶体管负载状况自动调节基极驱动电流的动态负载自适应技寿,采用此项技寿设计的驱动电路已经几年运行考核,解决了晶体管控制系统的关键难题

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联