8—1 模拟集成电路设计——电流模法 8—2 电流反馈型集成运算放大器 8—3 开关电流——数字工艺的模拟集成技术 8—4 跨导运算放大器(OTA)及其应用 8—5 在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台

8—1 模拟集成电路设计——电流模法 8—2 电流反馈型集成运算放大器 8—3 开关电流——数字工艺的模拟集成技术 8—4 跨导运算放大器(OTA)及其应用 8—5 在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台

车辆工程专业 《工程制图(1)(2)》 《工科化学》 《汽车概论》 《专业认知实践》 《理论力学》 《制图专用周》 《材料力学》 《互换性与技术测量》 《机械原理》 《机械原理课程设计》 《工程材料与热处理》 《机械设计》 《机械控制工程》 《工程热力学》 《汽车构造》 《发动机原理》 《机械设计课程设计》 《汽车结构拆装综合实验》 《机械制造技术基础》 《单片机应用技术》 《液压与液力传动》 《汽车理论》 《汽车设计》 《汽车电子学》 《汽车工程测试基础》 《车辆专业英语》 《汽车车身设计》 《汽车 CAD/CAM》 《汽车车身电控技术》 《电动汽车电驱动技术》 《汽车运用工程》 《汽车营销与保险》 《汽车电子控制开放实验》 《汽车生产实习》 《现代工程软件实训》 《汽车产品实物制作》 《学科竞赛》 《文献检索与论文写作》 《汽车制造工艺学》 《汽车结构有限元》 《汽车系统动力学与仿真》 《汽车车载网络技术》 《新能源汽车技术》 《电动汽车动力电池技术》 《汽车检测与故障诊断》 《汽车维修工程》 《汽车电器》 《汽车设计课程设计》 《汽车制造工艺课程设计》 《汽车服务工程课程设计》 《新能源汽车技术实训》 《汽车检测与诊断模拟实训》 《车险理赔估损模拟实训》 《毕业设计(论文)》 工业设计专业 《工程制图》 《专业导论》 《设计初步》 《设计素描》 《平面构成》 《色彩构成》 《设计表现 1》 《设计初步课程设计（设计色彩）》 《机械设计基础》 《设计表现 2》 《计算机辅助工业设计 1》 《平面基础设计》 《立体构成（立体形态研究）》 《创意思维与现代设计方法》 《立体基础设计》 《计算机辅助工业设计 2》 《设计史》 《交互设计》 《设计心理学》 《交互设计课程设计》 《人机工程学》 《设计程序与方法》 《设计程序与方法课程设计（模型制作）》 《视觉传达设计 1（标志、版式与字体设计）》 《多媒体设计 1》 《专业英语》 《中外美术简史》 《动画与视频设计》 《设计欣赏》 《广告策划（+影视广告）》 《产品设计 1》 《展示设计基础》 《生产实习（设计实习、设计考察）》 《设计材料与工艺》 《视觉传达设计 2(包装与书籍设计)》 《多媒体设计 2》 《设计管理》 《设计研究与实验》 《造型结构设计（+ProE）》 《智能硬件创意设计实践》 《专业前沿讲座》 《

以易控的工艺条件为基础，通过设计简易实验装置来模拟锆合金在实际生产中的张力退火过程。采用X射线衍射（XRD）和电子背散射（EBSD）技术，对不同温度和不同张力下退火处理后的Zr–4合金织构和再结晶行为进行研究。结果表明，施加外加应力和提高退火温度可显著改变再结晶织构演化过程。随着外加应力值的增加以及退火温度的升高，锆合金的主要织构($\\overline 1 2\\overline 1 5$

一、化工过程开发的含义和步骤开发基础研究 初步筛选原料路线;了解过程特征;归纳工艺条 件;拟定分析方法。 二、、过程研究 工程研究概念设计

 2.1 企业资源和基础数据  2.2 物料、物料编码和物料属性  2.3 物料清单  2.4 工作中心和能力管理  2.5 提前期管理  2.6 工序和工艺路线  2.7 制造日历  2.8 其他基础数据  2.9 本章小结

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

通过本章节的理论教学：掌握数控加工编程的基础知识，主要包括 插补的基本知识、机床坐标系及工件坐标系、刀具补偿的概念、数 控加工工艺分析、数控加工程序的格式及编程方法等

通过本章节的理论教学:掌握数控加工编程的基础知识,主要包括 插补的基本知识、机床坐标系及工件坐标系、刀具补偿的概念、数 控加工工艺分析、数控加工程序的格式及编程方法等

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大