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石河子大学:《教育科学研究方法》课程教学课件(PPT讲稿)第四讲 教育观察法
文档格式:PPT 文档大小:9.76MB 文档页数:118
• 什么是观察法? • 你要观察什么? • 你想怎么观察? • 观察得来的资料该如何分析? • 如何确保研究的真实可靠性?
上海电机学院:商学院质量管理工程专业课程教学大纲汇编
文档格式:PDF 文档大小:2.39MB 文档页数:163
《工业工程导论》 《认识实习》 《可靠性工程》 《采购与供应商质量控制》 《项目质量管理》 《集成质量系统实验》 《设计质量技术》 《质量管理体系》 《质量管理综合设计》 《质量检验技术》 《服务质量管理》 《国家质量基础设施概论》 《六西格玛管理》 《质量大数据技术》 《质量成本与质量经济性》 《质量法规与质量监督》 《质量分析技术》 《质量信息化技术》 《毕业实习》 《毕业设计(论文)》
基于多维概率分布的多金属矿床储量估算模型
文档格式:PDF 文档大小:769.26KB 文档页数:7
为解决不同边界品位下多金属矿床的储量快速估算问题,针对多金属矿床有用组分之间具有相关性的特点,基于多维概率分布函数建立了多金属矿床储量估算数学模型.以某金铜矿床为例,分析证明了矿床中金、铜品位的概率密度呈对数正态分布,并对金、铜品位分布的相关性特征进行检验.在此基础上将一维概率密度扩展至多维,建立了金铜矿床品位分布的多维概率密度函数,得出了不同边界品位下矿床保有的资源储量,并进行了可靠性验证.结果表明,模型的计算误差在10%以内,符合储量管理的精度要求
中国科学技术大学:《嵌入式系统设计方法》课程教学资源(课件讲稿,第一版)05 嵌入式系统的描述与验证
文档格式:PDF 文档大小:6.11MB 文档页数:69
• 形式化设计方法和过程 • 系统描述方法 – 基于模型的方法 – 基于语言的方法 • SystemC – PetriNet,1960 • 德国数学家Petri发明 • 形式化验证 – Model Checking • 属性分析 – 正确性、性能、可靠性?
中国科学技术大学:《嵌入式系统设计方法》课程教学资源(课件讲稿,第二版)设计验证与需求确认(嵌入式系统的属性与验证)
文档格式:PDF 文档大小:1.21MB 文档页数:44
• 形式化设计方法和过程 • 系统描述方法:基于状态和迁移 • 形式化验证 – Model Checking – 时态逻辑:LTL、CTL、RTL • 属性分析 – 正确性、性能、可靠性?
吉林大学:《计算机控制技术》课程教学资源(电子讲义)计算机控制系统讲义(共十章
文档格式:DOCX 文档大小:17.17MB 文档页数:145
第一章 绪论 第二章 计算机控制系统设计的硬件基础 第三章 计算机控制系统数学基础 第四章 计算机控制系统分析 第五章 计算机控制系统的间接设计法 第六章 计算机控制系统的直接设计法 第七章 数字控制器的状态空间设计方法 第八章 计算机控制系统设计 第九章 新型计算机控制系统 第十章 计算机控制系统的可靠性设计
基于资金受限的多方案投资评价与选择方法
文档格式:PDF 文档大小:415.24KB 文档页数:4
为了解决企业在资金受限情况下的决策问题,通过主成分分析法对多方案、资金受限项目的评价与选择进行了研究,并对多方案投资项目进行了实证分析和计算.将计算结果与传统的决策评价方法进行了比较分析,探讨了这种多元统计分析方法的有效性和可靠性,为多项目方案决策提供了依据.
《质量工程师手册》PDF电子书(第9-20章)
文档格式:PDF 文档大小:43.19MB 文档页数:331
第九章 统计过程控制与诊断(SPC与SPD) 第十章 接近零不合格品过程的质量控制 第十一章 质量改进常用方法 第十二章 质量机能展开 第十三章 质量评估方法 第十四章 顾客满意导向与顾客满意度 第十五章 可靠性维修性及产品安全性 第十六章 计量 第十七章 测量系统分析(MSA) 第十八章 业务流程重组 第十九章 网络时代的质量管理 第二十章 六西格玛工程简介
电梯导轨矫直压弯挠度理论计算与数值模拟
文档格式:PDF 文档大小:352.3KB 文档页数:5
为使导轨的平直度达到高速电梯的要求,通过应用弹塑性理论,建立了电梯导轨在矫直过程中的数学模型,模型给出了电梯导轨在反弯矫直过程中挠度、弯矩、曲率以及中性层之间的关系,并获得了矫直压下量的取值范围.通过有限元软件ANSYS分析验证了理论计算得到的矫直压下量取值的可靠性,并证明能够使矫直后的导轨符合使用要求
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
文档格式:PDF 文档大小:509.21KB 文档页数:4
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求
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