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O'-Sialon-ZrO2-SiC复合材料的合成热力学分析及其制备
文档格式:PDF 文档大小:472.08KB 文档页数:4
在分析、绘制Si-O-N三维立体参数状态图基础上,采用纯原料合成了O'-Sialon-ZrO2-SiC复合材料.对实验结果用XRD、TEM进行分析,验证热力学分析的可靠性.结果表明,O'-Sia-lon-ZrO2-SiC复合材料中,主晶相O'-Sialon彼此之间构成网络状结构,ZrO2和SiC颗粒弥散于编织状结构的孔隙中,起强化作用
半固态金属表观黏度的测量及样品制取
文档格式:PDF 文档大小:648.9KB 文档页数:6
针对以往设备的不足之处,设计了半固态合金浆料表观黏度的测量装置.以理论计算公式作为测量依据,合理地设计和组合各部件,提高了测量精确度和可靠性,有效防止了半固态合金的高温氧化,对高固相分数的半固态合金也可以处理,并方便地获得样品.对样品的表观黏度测量以及金相组织分析表明,本装置可有效地对半固态合金进行流变性能和组织形态演变的研究
山东师范大学:《食品分析与检验》课程教学资源(PPT课件)绪论、第一章 食品分析的基本知识
文档格式:PPT 文档大小:372.5KB 文档页数:42
绪论 一、食品分析的性质、任务和作用 二、食品分析的研究内容 第一章 食品分析的基本知识 第一节 样品的采集、制备、保存及预处理方法 第二节 国内外食品分析标准和食品分析方法 第三节 提高分析数据的可靠性
石河子大学:《教育科学研究方法》课程教学课件(PPT讲稿)第四讲 教育观察法
文档格式:PPT 文档大小:9.76MB 文档页数:118
• 什么是观察法? • 你要观察什么? • 你想怎么观察? • 观察得来的资料该如何分析? • 如何确保研究的真实可靠性?
上海电机学院:商学院质量管理工程专业课程教学大纲汇编
文档格式:PDF 文档大小:2.39MB 文档页数:163
《工业工程导论》 《认识实习》 《可靠性工程》 《采购与供应商质量控制》 《项目质量管理》 《集成质量系统实验》 《设计质量技术》 《质量管理体系》 《质量管理综合设计》 《质量检验技术》 《服务质量管理》 《国家质量基础设施概论》 《六西格玛管理》 《质量大数据技术》 《质量成本与质量经济性》 《质量法规与质量监督》 《质量分析技术》 《质量信息化技术》 《毕业实习》 《毕业设计(论文)》
气氛对CaZrO3/ZrB2复合材料烧结的影响
文档格式:PDF 文档大小:528.1KB 文档页数:5
氧化物与非氧化物的烧结,合适气氛的选择特别重要.CaZrO3与ZrB2是化学性质截然不同的2种化合物,经过热力学分析,在所考虑的各种气氛中,这2种化合物高温时只有在Ar气保护的中性气氛中才能稳定存在.实验也证实了热力学分析的可靠性
吉林大学:《计算机控制技术》课程教学资源(电子讲义)计算机控制系统讲义(共十章
文档格式:DOCX 文档大小:17.17MB 文档页数:145
第一章 绪论 第二章 计算机控制系统设计的硬件基础 第三章 计算机控制系统数学基础 第四章 计算机控制系统分析 第五章 计算机控制系统的间接设计法 第六章 计算机控制系统的直接设计法 第七章 数字控制器的状态空间设计方法 第八章 计算机控制系统设计 第九章 新型计算机控制系统 第十章 计算机控制系统的可靠性设计
中国科学技术大学:《嵌入式系统设计方法》课程教学资源(课件讲稿,第二版)设计验证与需求确认(嵌入式系统的属性与验证)
文档格式:PDF 文档大小:1.21MB 文档页数:44
• 形式化设计方法和过程 • 系统描述方法:基于状态和迁移 • 形式化验证 – Model Checking – 时态逻辑:LTL、CTL、RTL • 属性分析 – 正确性、性能、可靠性?
中国科学技术大学:《嵌入式系统设计方法》课程教学资源(课件讲稿,第一版)05 嵌入式系统的描述与验证
文档格式:PDF 文档大小:6.11MB 文档页数:69
• 形式化设计方法和过程 • 系统描述方法 – 基于模型的方法 – 基于语言的方法 • SystemC – PetriNet,1960 • 德国数学家Petri发明 • 形式化验证 – Model Checking • 属性分析 – 正确性、性能、可靠性?
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
文档格式:PDF 文档大小:509.21KB 文档页数:4
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求
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