以MoO3、Si粉和Al粉为原料,采用机械化学还原法制备了Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3纳米复合粉体.利用X射线衍射(XRD)、激光粒度分析仪(LPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和差热-热重分析(DTA-TG)等对复合粉体和球磨过程中粉体的固态反应过程进行表征.结果显示,MoO3-Si-Al混合粉体球磨5h后转变为Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3复合粉体,反应为机械诱导的自蔓延反应.球磨20h后,Mo3Si、Mo5Si3和Al2O3的晶粒尺寸分别为27.5、23.3和31.8nm,产物具有纳米晶结构,粉体平均粒度为3.988μm,颗粒呈球形,分布均匀.DTA分析表明,复合粉体在机械化学反应过程中首先发生MoO3和Al之间的铝热反应,之后将发生一系列Mo和Si之间的反应,生成Mo5Si3和Mo3Si

采用电沉积方法在硫酸盐体系中制得了Fe-Ni合金镀层.研究了Fe2+与Ni2+的摩尔比、氯化亚铈浓度、抗坏血酸浓度、镀液温度、pH、阴极电流密度和电沉积时间对镀层铁含量的影响规律,确定了适宜电沉积因瓦合金的最佳工艺条件,并采用EDS,XRD和TEM对所得镀层进行了分析.验证性实验结果表明,制备的镀层具有与因瓦合金相似的成分,其Fe和Ni质量分数分别为61.8%~62.1%和37.9%~38.1%,它是由单一的纳米晶γ固溶体组成

运用拉伸、金相、析出物定量分析、TEM和EDS等测试方法,对不同卷取温度低碳钢组织性能及析出进行研究.结果表明:随着卷取温度的升高,钢的强度和晶粒度等级下降,固溶的N含量逐渐降低,740℃卷取时固溶的N含量几乎为零.热力学和动力学分析表明,AlN主要是在卷取过程中产生的.透射电镜观察到的AlN尺寸在10～50nm,并且具有复杂的化学成分

利用透射电镜(TEM)观察了热轧态双相钢压缩形变后回复与再结晶过程的组织结构变化,研究了硅及形变量的影响.结果表明:硅明显地延迟试验钢回复与再结晶过程.经30%形变的试验钢的回复与再结晶过程,迟于经90%的同样过程.由硬度(HRC)测定结果,计算了试验钢再结晶过程的激活能

用湿化学法合成钥镁酸铅陶瓷.用X射线(XRD)、扫描电镜(SEW)和透射电镜(TEM)技术,研究陶瓷的微观结构.结果表明:湿化学法可合成纯钙钛矿相的钥镁酸铅陶瓷;陶瓷在850~920 ℃烧结,晶粒大小为150~200nm,细小焦绿石相出现并分布在晶界上;过量PbO相的形成有利于陶瓷的烧结

运用SEM,TEM,XRD等对改性煤系煅烧高岭土晶化焙烧产品进行了测试,分析了晶化焙烧工艺所带来的改性煤系煅烧高岭土超细颗粒性能的变化.例如,基体颗粒表面水合二氧化钛由非晶态转化为晶态,膜覆包均匀等.最终产品可以作为钛白粉的替代品

以粒径640nm的单分散二氧化硅胶体晶体为模板,由四氯化碳和乙二胺回流加热制备出氮化碳的前驱物;将其填入模板的缝隙中,在氮气中热处理,形成氮化碳/二氧化硅的复合物;用氢氟酸除去二氧化硅模板,制备出三维大孔氮化碳材料.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、元素分析、红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS),对其形貌结构、元素组成、键合状态进行了形貌和结构的表征.采用部分凝血活酶时间(APTT)、凝血酶原时间(PT)和凝血酶时间(TT)对其体外抗凝血活性作了初步的评价,发现制备的大孔氮化碳对血液不会造成促凝,说明其可能成为一种新的血液相容性材料

在实验室模拟了含铌与无铌TRIP钢的连续退火工艺过程,通过金相显微技术(OM)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、背散射电子衍射技术(EBSD)、X射线衍射(XRD)和拉伸实验等检测手段研究了TRIP钢的组织性能,分析了TRIP钢中残余奥氏体稳定性的影响因素及强化机理.结果表明:在连续退火工艺条件下,Nb的存在细化了TRIP钢的微观组织,与未添加Nb的钢相比,添加Nb可以提高TRIP钢中残余奥氏体含量和残余奥氏体碳含量.含铌TRIP钢中残余奥氏体主要以团块状或薄膜状分布于铁素体与贝氏体晶界,极少部分以细小球状分布于铁素体晶内.含铌TRIP钢热轧后的主要析出物为Fe3C和(Nb,Ti)(C,N),退火后的主要析出物为(Nb,Ti)(C,N).细小含铌析出物的析出强化导致了随着退火温度的升高,屈服强度和抗拉强度升高

研究了表面活性剂胶束法制备CaWO4纳米材料.在TEM、XRD和TG-DSC等手段表征的基础上,讨论了在不同反应条件下胶束模板的形态及纳米CaWO4的生长机制.研究结果表明,使用表面活性剂CTAB和OP-10/KH-B92复配体系两种方法,均制备出低维结构的CaWO4纳米材料,且样品尺寸均匀,分散性较好

TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基复合材料的组织中,基体MoSi2中存在较多的位错,而且尤以MoSi2与SiC的界面处位错最为集中,SiC颗粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错.纳米力学探针分析表明,MoSi2/SiC界面附近存在明显的硬度梯度,在材料制备冷却过程中,因MoSi2基体与SiC颗粒之间的热膨胀系数(CTE)的差别而导致的其中的残余热应力是造成上述组织特征的原因