一、基本要求 1 掌握导体静电平衡条件及性质，并会用于分析实际问题 2 正确计算有电介质和导体存在时的电场，理解有介质时的高斯定理 4 掌握电容器的各类问题计算 3 了解电介质极化机理，理解之间的关系

一. 基本要求 1. 掌握电场强度的概念和电场叠加原理，掌握已知电荷的分布，计算电场强度的方法。 2. 理解静电场的两个基本定理，掌握用高斯定理计算电场强度的方法。 3. 掌握电场力做功特点，掌握电势的概念和电势叠加原理，掌握已知电荷分布计算电势的方法

一、基本要求 1. 掌握毕奥—萨伐尔定律，并会用该定律计算载流导体的磁场 2. 掌握用安培环路定理计算磁场强度的条件和方法 3. 掌握安培定律和洛仑兹力公式，会计算简单形状截流导体的磁力 4. 理解磁介质中的安培环路定理，理解磁场强度的概念

1、非正弦周期信号：是周期性的，但非正弦的，例如：周期性的 脉冲波 2、谐波分析法：将周期性的非正弦波展开为付里叶级数（正弦波 迭加），计算不同频率正弦波激励下的响应，叠加得结果

第一节 电路和电路模型 第二节 电路的基本物理量及其参考方向 第三节 无源理想元件 第四节 电源 第五节 基尔霍夫定律 第六节 电路的工作状态及电器设备的 额定值 第七节 电路中电位的计算

一、理解动量、冲量概念，掌握动量定理和动量守恒定律． 二、掌握功的概念, 能计算变力的功，理解保守力作功的特点及势能的概念，会计算万有引力、重力和弹性力的势能．

一、半导体与数字集成电路： 1、1947年晶体管发明引起了电子学的一次革命，晶体管是约翰·巴丁、沃尔特·布雷登和威廉·肖克莱共同发明，该发明促成了计算机、通信等方面的飞速发展。鉴于它的重要价值，这些人共同获得了1956年的诺贝尔物理学奖

计算各等值过程的热量、功和内能的理论基础. (1)pV=vRT(理想气体的共性) (2)Q=△E+pd量转换的问题

一、水头损失的物理概念及其分类 二、沿程水头损失与切应力的关系 三、液体运动的两种流态 四、圆管中的层流运动及其沿程水头损失的计算紊流特征

l.以堆积模型计算由同种原子构成的同体积的体心和面心 立方晶体中的原子数之比 [解答] 设原子的半径为R体心立方晶胞的空间对角线为4R,晶胞的 边长为4R/3,晶胞的体积为(4R/3)3,一个晶胞包含两个原 子,一个原子占的体积为4R/3)/2,单位体积晶体中的原子 数为2(4R/3);面心立方晶胞的边长为4R/√2,晶胞的体