本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

第四节初等函数的求导问题、双曲函数与反双 1.常数和基本初等函数的导数公式 2.函数的和、差、积、商的求导法则 3.复合函数的求导法则 4.双曲函数与反双曲函数的导数

采用扫描电镜、电子探针和X射线衍射等手段对不同服役时间（原始态、1.5a和6a）Cr35Ni45乙烯裂解炉管内壁的氧化与渗碳机理进行了系统分析.结果表明：高温长时服役后炉管内壁出现了氧化层、碳化物贫化区和碳化物富集区三个区域，其氧化行为包括Cr2O3外氧化和SiO2内氧化，且服役过程中外氧化膜发生反复破坏和重建；炉管服役过程的渗碳行为主要由内表面结焦引起，外氧化膜的反复破坏可以加重渗碳，但外氧化膜在破坏后能自动修复，所以服役态两个炉管的渗碳程度较轻；外氧化膜的反复破坏和重建使亚表层贫铬，导致形成碳化物的临界碳浓度增加，在内壁亚表层形成贫碳化物区，多余的碳原子在其内侧析出，形成碳化物富集区

第三节反函数的导数、复合函数求导法则 1.反函数的求导法则 2.复合函数的求导法则

一、选择题(在下列各题中,选择出符合题意的答案,将其代号填入括号内) 1、下列关于催化剂的叙述中,错误的是() (A)催化剂只能加速自发进行反应的反应速率 (B)催化剂具有明显的选择性 (C)催化剂使反应活化能降低从而加快反应速率 D)催化剂的催化作用使逆向反应比正向反应速率大大增加 2、HCO3的共轭碱是() (A)CO3 (B)H2CO3 (C)H+ (D)+

第二十讲放大电路中反馈的其它问题 一、放大电路中的正反馈 二、电流反馈型集成运放 三、方框图法解负反馈放大电路

一、生化反应器——利用生物催化剂进行生化反应的设备。 二、将现有的生化反应器进行抽象——理想的生化反应器 三、研究生化反应器的目的 四、研究生化反应器的基本反应规律 五、研究生化反应器的设计内容及方法

在U+L型通风条件下,联络巷的存在对采空区遗煤自燃有重要的影响.为保证矿井安全生产,并为预防遗煤自燃提供依据,根据煤体低温氧化的反应机理,使用UDF将煤氧反应的机理编入FLUENT,对联络巷存在时采空区氧化升温带的分布规律进行多场耦合数值模拟研究.结果表明:联络巷的存在使采空区内风流场、氧浓度场及温度场都发生变化,氧化升温带不仅向回风侧偏移,而且向采空区深部移动且变宽;联络巷与工作面的距离影响氧化升温带的宽度,联络巷距工作面20 m时氧化升温带宽度最大约为25 m;反应进行10 d后,U+L型通风下采空区高温点的升温速率可达1.24 K·d-1,是U型通风的1.5倍,但联络巷相对工作面的位置对高温点几乎没有影响;与U型通风时相比,U+L通风时回风侧的温度场中联络巷口温度最高,而且比U型通风时相同坐标位置的温度平均每天高出4 K,随着联络巷与工作面距离的不断增加,联络巷口升温速率由0.1 K·d-1可升至0.9 K·d-1,这在整体温度场中虽然不属于高温区域,但具有很好的升温潜质

通过对细胞反应的能量平衡来确定在反应过程中的能量的相对利用和

避雷针的反击与电磁脉冲 一、反击 雷直击避雷针时,雷电流要通过避雷针向大地泄放,此时雷电流在避雷针的接地电阻和 等值电感上产生电压升高U设避雷针的等值电感为L,冲击接地电阻为Rch,雷电流为i