建立了板坯连铸结晶器三维有限元热弹塑性结构模型,计算了铜板变形及结晶器冷却结构对其影响规律.冷却结构和热力载荷决定了铜板热面变形行为,铜板变形量取决于冷却结构几何参数,并在铜镍分界处有较小变形突变;宽面热面中心线最大变形出现在弯月面下100mm处,窄面最大变形出现在弯月面和冷却水槽末端,且铜镍分界两侧变形曲线有明显的曲率波动;铜板加厚5 mm,最大中心线变形可增加0.05 mm,镍层对中心线变形影响不明显,1 mm的厚度变化仅在窄面引起最大0.01 mm的下降,冷却水槽对中心线变形影响也较小,水槽加深2 mm,最大中心线变形减少0.02 mm

第二节 能量量子化、声子 3.2.1 晶格振动模式及声子概念 3.2.2 声子的性质 第三节 晶体的比热 3.3.1 经典热容理论 3.3.2 热容的量子理论 3.3.3 模式密度的求法 3.3.4 爱因斯坦模型 3.3.5 德拜模型

Chapter 0 绪论 Chapter 1 基本状态参数和定律的微观解释 Chapter 2 吉布斯相律和热力学普遍关系式 Chapter 3 实际流体状态方程 Chapter 4 实际流体(导出)热力性质与过程 Chapter 5 实际流体热力性质实验测量 Chapter 6 溶液的热力性质 Chapter 7 气液相平衡

一、概论 二、 *差热分析法（differential thermal analysis, DTA） 三、差示热量扫描法(differential scanning calorimetry, DSC) 四、*热重法 (thermogravimetry，TG) 五、热分析技术的发展

结合等温压缩实验获得的IN690合金本构关系,建立了该合金管热挤压过程的有限元模型,该模型考虑了坯料与模具的热传导、对流换热及摩擦功与塑性功的热转换.模拟结果表明:坯料在变形区附近温度开始升高,进入变形区内急剧升高,且在模孔出口靠近芯棒处温度达到最高,芯棒附近的温度大于挤压筒附近的温度;填充挤压阶段结束时出现最大温升.分析得到了工艺参数对出口温度的影响规律:挤压速度越大,出口温度越高,速度过慢将会使出口温度下降严重;坯料预热温度越高,出口温升越小;当摩擦因数小于0.04时,摩擦因数对出口温度影响很小,但摩擦因数大于0.1时出口温度明显升高

发热的概念 正常人的体温受体温调节中枢所调控,并 通过神经、体液因素使产热和散热过程呈动态 平衡,保持体温在相对恒定的范围内。 当机体在致热源( pyrogen作用下或各种原 因引起体温调节中枢的功能障碍时,体温升 高超出正常范围,称为发热(ever)

采用标准k-ε模型对非淹没缝隙射流冲击区单相对流换热进行数值模拟.考虑冲击区对流换热的因素有射流的速度、射流出口距冲击板的距离(高度)、喷嘴的宽度、射流出口速度方向与冲击板之间的夹角、冲击板的温度及水温等.研究结果表明:射流速度对冲击区的换热影响最显著,其次是水温及喷嘴的宽度,而射流出口速度方向与冲击板的夹角只影响局部换热系数的分布

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

固定床气-固相催化反应器的基本类型和数学模拟 固定床流体力学 固定床热量与质量传递过程 绝热式固定床催化反应器 连续换热内冷自热式催化反应器 连续换热式外冷及外热管式催化反应器 薄床层催化反应器 催化反应过程进展

采用粉末注射成形-无压熔渗相结合技术制备出了电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料.重点研究了SiC粒径、体积分数以及粒径大小等颗粒特性对所制备复合材料热物理性能的影响规律.研究结果表明,SiCp/Al复合材料的热导率随SiC粒径的增大和体积分数的增加而增加;SiC粒径的大小对复合材料的热膨胀系数(CTE)没有显著的影响,而其体积分数对CTE的影响较大.CTE随着SiC颗粒体积分数的增加而减小,CTE实验值与基于Turner模型的预测值比较接近.通过对不同粒径的SiC粉末进行级配,可以实现体积分数在53%~68%、CTE(20~100℃)在7.8×10-6~5.4×10-6K-1、热导率在140~190W·m·K-1范围内变化