为满足现代电子工业日益增长的散热需求，急需研究和开发新型高导热陶瓷（玻璃）基复合材料，而改善复合材料中增强相与基体的界面结合状况是提高复合材料热导率的重要途径.本文在对金刚石和镀Cr金刚石进行镀Cu和控制氧化的基础上，利用放电等离子烧结方法制备了不同的金刚石增强玻璃基复合材料，并观察了其微观形貌和界面结合状况，测定了复合材料的热导率.实验结果表明：复合材料中金刚石颗粒均匀分布于玻璃基体中，Cu/金刚石界面和Cr/Cu界面分别是两种复合材料中结合最弱的界面；复合材料的热导率随着金刚石体积分数的增加而增加；金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而降低，由于镀Cr层实现了与金刚石的化学结合以及Cr在Cu层中的扩散，镀Cr金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而增加.当金刚石粒径为100μm、体积分数为70%及镀Cu层厚度为约1.59μm时，复合材料的热导率最高达到约91.0 W·m-1·K-1

本文利用精确测量坩埚型电导池的尺寸以及不同插入深度的电阻值,并根据下列公式:\\[\\begin{array}{l}\\sigma = \\frac{1}{{2\\pi \\Delta {\\rm{h}}}}{\\rm{(}}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{2}}}}}{\\rm{ - }}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{1}}}}}{\\rm{)ln(}}\\frac{{{{\\rm{D}}_{\\rm{2}}}{\\rm{ - m}}}}{{{{\\rm{D}}_{\\rm{1}}}{\\rm{ - m}}}}{\\rm{ \\bullet }}\\frac{{{{\\rm{r}}_{\\rm{1}}}}}{{{{\\rm{r}}_{\\rm{2}}}}}{\\rm{)}}\\\\{\\rm{或}}\\\\\\sigma = \\frac{{{{\\rm{K}}^*}}}{{\\Delta {\\rm{h}}}}{\\rm{(}}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{2}}}}}{\\rm{ - }}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{1}}}}}{\\rm{)}}\\end{array}\\]直接计算出电导率。因而可以省去利用已知电导率的溶液来标定电导池常数。这种方法简化了实验步骤,其结果也是精确的

对转炉采用石灰石造渣炼钢引起硅挥发的原因进行了分析，通过热力学计算得到了高碳低温铁水面上SiO稳定存在的温度及气氛条件.分析结果表明，标准状态下，铁水中各元素与CO2的氧化反应中，SiO生成反应只在火点区附近可以进行；温度为1400~2300 K时，使得SiO稳定存在的pCO/pCO2随温度升高逐渐降低，该气氛条件相当于pO2在10-25~10-13数量级；在2 min内加入石灰石的条件下，[Si]挥发时的pSiO大致在10-2数量级，与实际生产中大致相同