上海交通大学：《材料组织结构表征》课程教学资源（课件讲义）2017-X射线衍射1-晶体结构

上海交通大学：《材料组织结构表征》课程教学资源（课件讲义）点阵常数与晶体结构测定

上海交通大学：《材料组织结构表征》课程教学资源（课件讲义）X射线晶体学基础

上海交通大学：《通信基本电路》课程教学资源（讲义）5.3 变频电路 §5.3.2 晶体三极管混频器 §5.3.3 场效应管混频器

4.1 概述 4.2 内部噪声的特点和来源 4.2.1 内部噪声特点 4.2.2 电阻热噪声与天线热噪声 4.2.3 晶体管噪声 4.3 噪声表达式和计算方法 4.3.1 等效噪声带宽 4.3.2 噪声系数 4.3.3 噪声温度 4.3.4 多级放大器噪声系数 4.4 减小噪声的措施

5.1 非线性电路特性及分析方法 5.1.1 非线性元件特性 5.1.2 非线性电路分析方法 5.2 线性时变参量 5.2.1 时变跨导电路 5.2.2 模拟乘法器 5.2.3 开关函数分析法 5.3 变频电路 5.3.1 指标 5.3.2 晶体管混频器 5.3.3 二极管混频器 5.3.4 差分对混频和模拟乘法器 5.4 混频器干扰

3.1 概述 3.2 晶体管高频小信号等效电路与参数 3.3 单调谐回路谐振放大器 3.3.1单级单调谐回路谐振放大器 3.3.2多级单调谐回路谐振放大器 3.4 双调谐回路谐振放大器 3.5 谐振放大器的稳定性 3.6 谐振放大器的常用电路

采用X-射线衍射(包括小角度衍射方法)研究了低温气相生长金刚石薄膜和单晶硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过渡层为α-SiC,在较低沉积温度范围(580-290)℃过渡层则由α-SiC和SiO2所构成。对界面层中α-SiC和SiO2的晶体结构以及金刚石薄膜面间距进行了讨论

在氮化镓中添加其他元素,有可能使其宽禁带变窄,从而提高其作为光催化剂的光利用效率.在1123K的氮化温度下,用氧化镓(Ga2O3)和氧化锌(ZnO)粉末与流动的NH3反应900min制备出黄色的氮化镓与氧化锌的固溶体Ga1-xZnxNO.探讨了制备工艺对所得粉体的影响,通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)以及紫外可见吸收光谱(UV-Vis)研究Ga1-xZnxNO的晶体结构和光学性能.所得Ga1-xZnxNO的粉末呈六角纤锌矿结构,紫外可见吸收光谱表明该物质的吸收峰位于可见光范围内

采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长