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1.一维散射问题的一般提法 为简单起见,假设 V(+∞)=V(-∞)=0,E>0 所以这时的量子状态是非束缚态,或称散射态。此时的问题不再是求能量本征值(因为E>0的任何值 都可以使方程有单值、有限、连续的解,或者说此时的能量有连续谱),而是求“散射几率”。问题的基 本提法如下
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1求解导热问题的三种基本方法:(1)理论分析法;(2)数值计算法;(3)实验法 2三种方法的基本求解过程 3(1)所谓理论分析方法,就是在理论分析的基础上,直接对微分方程在给定的定解条件下进行积分,这样获得的解称之为分析解,或叫理论解;
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我们从最简单的二元线性方程组出发,探 求其求解公式,并设法化简此公式
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4.1 Newton-Cotes-公式 4.2复合求积法 4.3 Romberg算法 4.4* Gauss求积法 4.5数值微分
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一、教学基本要求 1、理解参数的点估计的概念,掌握矩估计法(一阶,二阶)与极大似然值估计法 2、了解估计量的无偏性,有效性,一致性 3、了解估计的概念,会求单个正态总体的均值与方差的置信区间会求两个正态总体的均值及方差比的置信区间
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一、是否题 1.在一定温度T(但T
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例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设
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例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化
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#include void maino int F =13 printi“示例 printf函数对输出表中各量的求值顺序:mn”);
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一、均衡价格的含义 二、均衡价格的形成 三、市场均衡价格的变动 四、供求定理
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