一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

一、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 1 分，共 15 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．三极管β值是反映（ ）能力的参数。 A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压

方法一:先标度变换,再时延 因为a=2,所以x(21)0)E50 因为b=对时移(向右)所以(21-5)4hsa|me

热学部分绪论 实验一 冷却法测量金属的比热容 实验二 液体比汽化热测量 实验三 受迫振动 电磁学实验基础知识 实验四 示波器的使用 实验五 磁场的描绘 实验六 电表改装与校准 实验七 薄透镜焦距的测定 实验八 利用牛顿环的等厚干涉测量透镜的曲率半径

1、压缩 a=2→ x(2t) 2、右移 b=1→x[2(t-1)] 3、翻转 t → (-t)→x(-2t-2)

颈部—冠状面 颈部—矢状面 颈部--横断面 颅脑 MRI-冠状面 颅脑 MRI-矢状面 颅脑 MRI-横断面 颅脑 CT-冠状面 颅脑 CT-横断面

一、了解磁介质的磁化现象及其微观解释. 二、了解磁场强度的概念以及在各向同性介质中H和B的关系, 了解磁介质中的安培环路定理 . 三、了解铁磁质的特性

第二章习题解答晶体管器件 习题24.3 A:D导通,Vo=-6 B:D截止,Vo=-12V C:D1导通,D2截止,V0=0V D:D截止,D2导通,Vo=-6V

第一章 1－3：单片机与普通计算机的不同之处在于其将（ ）（ ）和（ ）三部分集成于一块芯片上。 答：CPU、存储器、I/O 口 1－8：8051 与 8751 的区别是： A、内部数据存储但也数目的不同 B、内部数据存储器的类型不同 C、内部程序存储器的类型不同 D、内部的寄存器的数目不同

重积分的性质 性质1(线性性)设f和g都在区域Ω上可积,a,B为常数,则 af+Bg在上也可积,并且 (af+Bg)dv =a fdv+ gdv Ω 性质2(区域可加性)设区域Ω被分成两个内点不相交的区域 Q1和2,如果f在Q上可积,则f在21和2上都可积;反之,如 果f在Ω1和Q2上可积,则f也在上可积