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3-1.51架构与51单片机的内部存储器 3-2.51单片机的程序存储器管理 3-3.51单片机的ROM扩展 3-4.增强型51单片机P89V51RD2的内部ROM
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欧拉方程 一、欧拉方程 形如 的方程(其中P1,P2…Pn为常数)叫欧拉方程. 特点:各项未知函数导数的阶数与乘积因子自 变量的方次数相同. 解法:欧拉方程是特殊的变系数方程,通过变 量代换可化为常系数微分方程
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4-1.51单片机内部RAM结构 4-2.51单片机的数据存储器管理 4-3.增强型51单片机P89V51RD2的内部RAM 4-4.51单片机的RAM扩展
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函数图形的描绘 一、渐近线 定义:当曲线y=f(x)上的一动点P沿着曲线 移向无穷点时如果点P到某定直线L的距离趋向于零,那么直线L就称为曲线y=f(x)的 一条渐近线 . 1.铅直渐近线(垂直于x轴的渐近线
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(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)
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实体联系模型(Entity Relationship Model) 是P.P.Chen于1976年首先提出的,此后此模型 不断扩展和完善,成为被广泛采用的概念模型 设计方法。这个模型直接从现实世界中抽象出 实体类型及实体间联系,然后用实体联系图 (ER图)表示数据的抽象和数据的联系。设计ER 图的方法称为ER方法
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气体液化的热力学理想循环是指由可逆过程组成的循 环,在循环的各过程中不存在任何不可逆损失。如图3-4所 示,设欲液化的气体从与环境介质相同的初始状态p1、T1(点 1)转变成相同压力下的液体状态p1、To(点0),气体液化 的理想循环按下述方式进行
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一、是否题 1.体系经过一绝热可逆过程,其熵没有变化。 2.吸热过程一定使体系熵增,反之,熵增过程也是吸热的。 3.热力学基本关系式dH=dS+VdP只适用于可逆过程。 4.象du=Tds-dV等热力学基本方程只能用于气体,而不能用于液体或固相。 5.当压力趋于零时,M(T,P)-M(T,P)=0(M是摩尔性质)
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100 Control Systems W.L. Brogan, G.K. F. Lee, A P Sage, B.C. Kuo, C L. Phillip R D. Harbor, R.G. Jacquot, J.E. McInroy D P. Atherton, J.S. Bay W.T. Baumann, M-Y Chow Models. Deynamic Response. Frequency Response Methods: Bode Diagram Approach RootLocus.compensation.DigitalControlSystems.nonlinear Optimal Control and Estimation. Neural Control
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在临界点附近,流体的许多性质有突变的趋势,如密度、溶解其它物质的能力等:通 过A、B的直线是三个两相平衡区的交界线,称为三相线:通过A、B的直线是三个两相平 衡区的交界线,称为三相线。若将p-V7曲面投影到平面上,则可以得到二维相图,如图 2-3和图2-4分别是pT图和pV图
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