针对单个球团未反应核模型在研究多球反应体系中存在的局限性,首先基于单球团未反应核动力学模型,构建了等温固定床中多球体系下球团矿还原模型;然后通过引入无因次变量,得到方程的解析解,并且采用特征线法进行求解得到了方程的数值解;最后在中温管式炉中设计了等温固定床球团矿还原试验.实验结果与模型计算值有较好的吻合

一、单自由度体系的水平地震作用对于单自由度体系,把惯性力看作反映地震对结构体系影响的等效力,用它对结构进行抗震验算。 结构在地震持续过程中经受的最大地震作用为

动用稀土氧化物固态渣饼作为脱硫剂和变质剂,借助吹氩搅拌对高硫(S=0.100%)过共晶铁水进行变质处理。实验在1450℃下进行30～45分钟得到了变质处理过程中铁水化学成分变化的规律和在过共晶铁水条件下试样中石墨形态和RE、CE含量之间的规律。结果表明在过共晶区当RE%≤(CE%-4.30%)/25时试样石墨形态为蠕虫状。当RE%≥(CE%-4.30%)/25时试样石墨形态为球状。对脱硫反应和稀土氧化还原反应进行了热力学计算和讨论,在实验条件下上述反应在热力学上均成立

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

电枢反应电枢磁通势的基波在气隙中使气隙磁通的大小及位置均发生变化,这种影响称为电枢反应

许多高温冶金过程都是在熔融的反应介质中进行的 如炼钢、铝电解、粗铜的火法精炼等 在很多冶炼过程中,产物或中间产品为熔融状态物质 如高炉炼铁、硫化铜精矿的造锍熔炼铅烧结块的鼓风炉熔炼等 冶金熔体—在高温冶金过程中处于熔融状态的反应介质或反应产物 冶金熔体的分类根据组成熔体的主要成分的不同

主要内容 ■烯烃的亲电取代反应,常见的几种反应,产物的类型 亲电加成的一般机理(正碳离子机理) ■ Markovnilkov加成规则及解释 ■卤素与烯烃的加成机理(环正离子机理)及反应对立 体选择性的解释

同步发电机电枢反应 Armature reaction of syncnronous generator 一、电枢反应的概念

采用扫描电镜、电子探针和X射线衍射等手段对不同服役时间（原始态、1.5a和6a）Cr35Ni45乙烯裂解炉管内壁的氧化与渗碳机理进行了系统分析.结果表明：高温长时服役后炉管内壁出现了氧化层、碳化物贫化区和碳化物富集区三个区域，其氧化行为包括Cr2O3外氧化和SiO2内氧化，且服役过程中外氧化膜发生反复破坏和重建；炉管服役过程的渗碳行为主要由内表面结焦引起，外氧化膜的反复破坏可以加重渗碳，但外氧化膜在破坏后能自动修复，所以服役态两个炉管的渗碳程度较轻；外氧化膜的反复破坏和重建使亚表层贫铬，导致形成碳化物的临界碳浓度增加，在内壁亚表层形成贫碳化物区，多余的碳原子在其内侧析出，形成碳化物富集区

一、生化反应器——利用生物催化剂进行生化反应的设备。 二、将现有的生化反应器进行抽象——理想的生化反应器 三、研究生化反应器的目的 四、研究生化反应器的基本反应规律 五、研究生化反应器的设计内容及方法