第三章静电场的边值问题 主要内容 电位微分方程,镜像法,分离变量法。 1.电位微分方程 已知,电位q与电场强度E的关系为

一.选择题 1. 微分方程 (x + y)(dx − dy) = dx + dy的通解是（ ） (A)x + y + ln(x + y) = c; (B)x − y + ln(x + y) = c; (C)x + y − ln(x + y) = c; (D)x − y − ln(x + y) = c

一、包络和奇解 1包络的定义 定义1:对于给定的一个单参数曲线族: (x,y,c)=0,(3.23) 其中c是参数,(x,y,c)是x,y,c的连续可微函数,曲线族(3.23)的包络是指这样的曲线,它本身不包含在曲线(3.23)中,但过这曲线的每一点有(3.23)中的一条曲线和它在这点相切

根据经验,如果f(x,y)的定义域R越大解的存在唯一 区间也应越大但根据定理的结论,可能出现这种情况, 即随着f(x,y)的定义域的增大,解的存在唯一区间反而 缩小这显然是我们不想看到的

线性定常RLC电路的零输入响应 二阶电路是含有两个独立储能元件的线性定常电路。描述 这种电路的方程是二阶线性常微分方程

第十节二阶常系数非齐次线性微分方程 一、f(x)=ep(x)型 二、f(x)=eP(x)cos ax+p(x)sin ax]型 三、小结思考题

10—2欧姆定律的微分形式 一、电阻率

(1) 了解微分方程及其解、通解、初始条件和特解等概念; (2) 掌握变量可分离方程的解法

一、极限，连续，偏导数，全微分 1. 二元函数的定义 z = f (x, y) 2. 二元函数的极限

一、一阶偏导数 二、高阶偏导数 三、一阶全微分形式不变性