利用喷射沉积技术制备了Al-20Si-5Fe-3Cu-1Mg合金,借助扫描电镜(SEM),X-射线衍射和拉伸试验等手段研究了喷射沉积合金的微观组织和力学性能,分析了Fe对合金挤压和热处理后的组织变化.拉伸试验结果表明,喷射沉积Al-20Si-5Fe-3Cu-1Mg合金具有比粉末冶金Al-20Si-3Cu-1Mg合金更高的高温(300℃)强度

研究了钛酸锶（SrTiO3a）固化体浸出性能的影响因素.采用MCC-1浸出法,分析了钛酸锶的浸出率.实验结果表明：SrTiO3a中各种元素的浸出率随时间延长而减小,且都小于0.1g·m-2·d-1,比玻璃固化体浸出率要低2～3个数量级;钛酸锶的化学稳定性好,是比较好的高放废物固化体

采用夹杂物原貌分析、扫描电镜和能谱分析、氧氮分析等手段系统分析了IF钢铸坯全厚度方向的洁净度变化及夹杂物分布规律.铸坯厚度方向全氧（T.O）和N质量分数平均值均为17×10-6.内、外弧表层1/16内T.O、N均高于平均值5%~10%,存在夹杂物聚集带;内弧1/4至外弧1/4区域T.O、N水平低于平均值5%~10%;表层1/16至1/4区域接近平均水平.共统计夹杂物963个,夹杂物平均粒径5.7μm,〈5μm占60%,〈10μm占90%;Al2O3夹杂主要存在表层5 mm内,尺寸在2~10μm;TiN-Al2O3和TiN粒子主要在距离表层5~80 mm,尺寸随深度增加而增大;TiN-TiS和TiS夹杂主要在距离表面80~130 mm,尺寸1~5μm.从铸坯表层到中心主要夹杂物的分布依次是Al2O3、Al2O3-TiN、TiN、TiN-TiS、TiS和MnS

采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长

系统分析了有关SrTiO3的缺陷化学的文献报道,在此基础上给出了未掺杂、受主和施主掺杂SrTiO3的缺陷反应方程、平衡常数、各种缺陷的生成自由能和生成焓.由此可以计算和预测SrTiO3主要点缺陷的浓度

本文研究了在电沉积过程中阴极超电位与形成非晶态的关系。实验结果表明,在阴极极化曲线的平台处易产生非晶态。还讨论了电沉积条件对形成非晶态镀层的影响。在较高的镀液温度,低的pH值及适当的电流密度的条件下,镀液中H3Po3含量达到一定的比值,镀层易形成非晶态。镀液中H3PO3含量越高,镀层中的磷含量越高,当磷含量超过9%时形成非晶态,且镀层的耐蚀性随其磷含量的增加而增强。热处理温度对镀层的影响也做了检验

材料是在\变易\的,并有\不易\的道理。本文尝试陈述材料学中简易的、不易的、变易原则[1],提炼作者50余年在材料学海浮沉漫游的体会[2~12]。全文分3部分共10节。引论3节:1个定义-材料;2个框图-微观和宏观材料问题;3条推理途径-演绎、归纳和类比。分论5节:1个符号-性能;1个方程-结构;4个对待-环境;3条原理-过程;8个分析-能量。结论2节:5点事物观;通才的2种方法。全文论述了10个命题,提出了30个观点或方法;从物出发,涉及到人和事;也可命名为\物观和方法论\

采用FLAC模拟了初始内聚力及内摩擦角对具有随机材料缺陷单轴平面应变压缩岩样破坏过程及声发射的影响;采用编写的若干FISH函数规定随机缺陷及统计发生破坏的单元数目.密实的岩石服从莫尔-库仑剪破坏与拉破坏复合的破坏准则,破坏之后呈现应变软化-理想塑性行为;缺陷在破坏之后经历理想塑性行为.随着密实岩石强度参数的提高,从应力峰值到残余应力的应力降、轴向应变增量提高,贯通试样的剪切带出现滞后,试样内部最终发生破坏的单元数降低.对于密实岩石强度参数高的试样,缺陷全部发生破坏之后,密实岩石没有立即发生破坏;应力峰值被达到之后,破坏的单元数增长不大.在加载过程中,声发射数有显著增加的三个区段.区段1、2及区段3的绝大部分位于峰前.在区段3的峰前阶段,声发射数的增加源于缺陷的长大、聚结、传播和竞争.强度参数越高,区段3越长,区段3的峰值越低.这表明当密实岩石的强度参数较高时,密实岩石单元破坏相继发生,破坏过程持续得较长

2-1 图 2-1 所示的电路中，US=1V，R1=1Ω，IS=2A.，电阻 R 消耗的功率为 2W。试求R 的阻值。 2-2 试用支路电流法求图 2-2 所示网络中通过电阻 R3 支路的电流 I3 及理想电流源两端的电压 U。图中 IS=2A，US=2V，R1=3Ω，R2=R3=2Ω

从重庆市政府今天召开的新闻发布会上获 悉,世界上第一颗采用0.13微米工艺的TD- SCDMA手机核心芯片 在重庆邮电学院研发成功。它标志着具有我国自主知识产权的3G 通信核心芯片的关键技术达到了世界领先水平,它将推进3G手机 芯片快速走向商业化道路 3G手机核心芯片的开发成功