利用作者导出的计算公式,系统研究了赤铁矿反浮选脱硅捕收剂N-十二烷基-1,3-丙二胺(CH3(CH2)11NH(CH2)3NH2,记为DN3)与N-十二烷基乙二胺(CH3(CH2)11NH(CH2)2NH2,记为DN2)的结构性能,得出了该类捕收剂应具有基团电负性较小、前线轨道能级差的绝对值较小、极性基断面尺寸较大、中心原子净电荷较大等结论.采用不同捕获剂进行了赤铁矿反浮选脱硅试验.结果表明,DN3和DN2的选择性和捕收性都好于十二胺(CH3(CH2)11NH2),DN3的选择性优于DN2,DN2的捕收性优于DN3.计算结果与实际浮选试验结果相符合

研究了Ca3N2对高温常压下B4C与NH4CL生成hBN反应的作用.在950℃,B4C与NH4Cl的反应产物中含少量hBN,加入Ca3N2后hBN含量无明显变化;在1200℃,B4C与NH4Cl的反应产物中hBN含量高于950℃时的含量,加入Ca3N2后hBN含量明显增加.分析表明:Ca3N2在上述生成hBN的反应中表现出催化作用.Ca3N2对生成hBN反应的催化作用弱于Li3N,而且Ca3N2和Li3N都只有在熔融状态下才有催化作用

§1-10 基尔霍夫定律 §1-9 受控源 §2-1 引言 §2-2 电路的等效变换 §2-3 电阻的串联和并联 §2-4 电阻的Y形连接与△形连接的等效变换 §2-5 电压源，电流源的串联和并联 §2-6 实际电源的两种模型及其等效变换 §2-7 输入电阻 §3-1 电路的图 §3-2 KCL和KVL的独立方程数 §3-3 支路电流法 §3-5 回路电流法 §3-6 结点电压法 §4-2 替代定理 §4-6 对偶原理 §8-1 复数 §8-2 正弦量 §8-3 相量法的基础 §8-4 电路定律的相量形式 §9-1 阻抗与导纳 §9-2 阻抗(导纳)的串联和并联 §9-3 电路的相量图 §9-４ 正弦稳态电路的分析 §9-5 正弦稳态电路的功率 §9-6 复功率 §9-7 最大功率传输 §9-8 串联电路的谐振 §9-9 并联谐振电路

3-1点的投影 3-2直线投影 3-3点、线的相对位置 3-4一边平行于投影面的直角的投影 3-5平面的投影 3-6各种位置平面的投影特性 3-7平面上的点和直线 3-8平面的辅助投影

§3-1 梁的内力计算回顾 §3-2 斜梁 §3-3 多跨静定梁 §3-5 桁架 §3-6 组合结构 §3-7 三铰拱 §3-4 静定刚架

为做好3G引入前期的技术准备工作,进一步调动员工学习钻研3G技术的 积极性,最大限度地使员工掌握全面的3G相关技术知识,培养技术精、作风硬 的3G技术骨干队伍,不断提升中移动技术应用与创新的能力,增强企业核心竞 争力。在集团公司已经系统组织的3G技术知识培训基础上,集团公司技术部组 织相关部门编写了这本3G技术知识培训手册,便于全国的规划、建设、维护、 优化和支撑等技术人员进行3G技术知识的系统化学习同时,该手册也是作为 集团公司即将举办的3G技术知识竞赛的培训读本

3-1引言 3-2傅氏变换的几种可能形式 3-3周期序列的DFS 3-4DFS的性质 3-5DFT--有限长序列的离散频域表示 3-6DFT的性质 3-7抽样Z变换--频域抽样理论 3-8利用DFT对连续时间信号的逼近

为了消除保护渣在使用过程中氟溶解到水中造成的危害,提出了开发高Al2O3含量的保护渣.研究了不同含量的Al2O3对保护渣熔渣水浸液中F-质量浓度和pH值的影响,并利用X射线光电子能谱分析了Al2O3含量对保护渣熔渣结构的影响.当Al2O3的质量分数为4%时,保护渣迁移到水中的F-质量浓度为22.8~35.4 mg·L-1,pH值的变化范围为4.0~9.5;当Al2O3的质量分数由4%增加到34%,F-质量浓度和pH值的变化范围均是先急剧减小后略有增加的趋势.X射线光电子能谱分析显示：增加保护渣中Al2O3的含量时,保护渣中Al2O3通过形成Al—F共价键,抑制了氟的浸出.控制保护渣中Al2O3的质量分数在16%~34%的范围,则实验水样中F-质量浓度在4.0~10.0 mg·L-1的范围,pH值在6.5~7.5的近中性范围,可减弱氟浸出造成的危害

运用差示扫描量热法、采用XRD检测等手段探讨研究了Fe-Ni-O-C体系中Fe、Ni的还原行为,样品主要包括NiO+C、Fe2O3+C、NiFe2O4+C、NiO+Fe2O3+C和Ni+Fe2O3+C等5种体系.结果表明:NiO+Fe2O3体系中由于NiFe2O4及Fe-Ni合金的生成使得该体系被还原的反应开始温度高于纯NiO,且最大反应速率对应的温度及还原反应结束温度均高于纯NiO但低于纯Fe2O3物质;相对于NiO+Fe2O3,NiFe2O4被C还原的开始及结束温度均更高,且还原速率更小;Fe2O3被C还原可分为三个阶段,金属Ni的存在能够明显促进铁氧化物的还原,主要是促进了Fe的各种氧化物形式(Fe2O3、Fe3O4和FeO)直接向金属Fe形式的转换;数据显示C还原NiFe2O4的过程也基本可分为三个阶段,不同阶段中产物的形态和种类均存在一定差别

第一章 微型计算机的基本概念 第二章 MCS-51系列单片机硬件结构 第三章 MCS-51系列单片机指令系统 3-1 汇编语言与指令系统 3-2 寻址方式 3-3 数据传送类指令 3-4 算术操作类指令 3-5 逻辑操作类指令 3-6 程序转移类指令 3-7 位操作类指令 3-8 伪指令及汇编语言程序设计 第4章 MCS-51系列单片机系统扩展 第五章 MCS-51系列单片机的接口与应用