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第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管
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4.1 正弦量的基本概念 4.2 正弦量的相量表示法 4.3 电容元件和电感元件 4.4 三种元件伏安特性的相量形式 4.5 基尔霍夫定律的相量形式 4.6 RLC串联电路 4.7 RLC并联电路 4.8 用相量法分析正弦交流电路 4.9 正弦交流电路中的功率 4.10 正弦交流电路中的最大功率 4.11 串联谐振 4.13 三相正弦电路
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常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础
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定义:伏安法和极谱法是一种特殊的电解方法。以小面积、易极化的电极作工作电极、以大面积、不易极化的电极为参比 电极组成电解池,电解被分析物质的稀溶液,由所测得的电流一电压特性曲线来进行定性和定量分析的方法。 当以滴汞作工作电极时的伏安法,称为极谱法,它是伏安法的特例
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《机械工程测试技术》课程教学资源(技术问答)09、热电式传感器_22、由负温度系数热敏电阻的热电特性(温度特性)和伏安特性可得出什么结论
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PN结及其单向导电特性 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管在实际中的应用
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《大学物理实验》教学资料:伏安法测二极管的特性研究、惠斯通电桥测量中值电阻、用双臂电桥测低值电阻、用板式电位差计测电源的电动势、电子示波器的使用
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§4.1 半导体二极管 4.1.1 半导体的物理特性 4.1.2 二极管结构和分类 4.1.3 半导体二极管的伏安特性 4.1.4 二极管的主要参数 4.1.5 二极管的电路模型及应用 4.1.6 稳压二极管 4.1.7 变容二极管 §4.2 双极型晶体管 4.2.1 三极管的结构及电路组态 4.2.2 三极管的特性曲线和工作状态 4.2.3 晶体管的主要参数 §4.3 绝缘栅型场效应晶体管 4.3.1 MOS管类型 4.3.2 MOS管的伏安特性曲线和工作状态 4.3.3 MOSFET主要参数
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第一节概述 一、伏安法 以小面积、易极化的电极作工作电 极,以大面积、不易极化的电极为参比 电极组成电解池,电解被分析物质的稀 溶液,由所测得的电流一电压特性曲线 来进行定性和定量分析的方法
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本学期实验题目 绪论 实验数据的处理 液氮比汽化热的测量 碰撞打靶 用扭摆法测定物体转动惯量 LCR串联谐振电路 直流电桥 圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场 数字示波器的使用 锑化铟磁阻传感器的特性测量 二极管的伏安特性测量及应用 量子论实验—原子能量量子化的观察与测量 X射线透视与 NaCl晶体结构分析 透镜焦距的测量 牛顿环 光的衍射 计算机实测物理实验 用计算机实测技术研究冷却规律 用计算机实测技术研究声波和拍
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