电子科技大学：《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源（课件讲稿）第六章 半导体激光器

电子科技大学：《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源（课件讲稿）第四章 半导体二极管的物理机理

第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱

电子科技大学：《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源（教学大纲，刘爽）

1. X射线光电子能谱及其特性 2. 电子能级及其表示 3. 光电效应 4. 俄歇效应 5. 表面与表面灵敏性

赣南师范大学（赣南师范学院）：《光电子技术学》课程教学资源（PPT课件）光束的调制和扫描（光束扫描技术）

以粒径640nm的单分散二氧化硅胶体晶体为模板,由四氯化碳和乙二胺回流加热制备出氮化碳的前驱物;将其填入模板的缝隙中,在氮气中热处理,形成氮化碳/二氧化硅的复合物;用氢氟酸除去二氧化硅模板,制备出三维大孔氮化碳材料.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、元素分析、红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS),对其形貌结构、元素组成、键合状态进行了形貌和结构的表征.采用部分凝血活酶时间(APTT)、凝血酶原时间(PT)和凝血酶时间(TT)对其体外抗凝血活性作了初步的评价,发现制备的大孔氮化碳对血液不会造成促凝,说明其可能成为一种新的血液相容性材料

采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-C3N4化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,α-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高,超过一定的温度后,N/C原子比将会降低.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱结果支持C-N键的存在

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡

利用反应溅射的方法制备了NiO薄膜,并研究了NiO对NiFe薄膜的钉扎作用,结果表明钉扎场与反应溅射时的Ar/O2比例、总的溅射气压、基底的粗糙度等有很大关系.利用光电子能谱(XP)分析了NiOx中的Ni,O离子的价态.并制备了NiO钉扎的自旋阀Ta/NiO/NiFe/Cu/NiFe/Ta,其磁电阻(MR)可达到2.2%,钉扎场为10.48kA/m