清华版：《材料科学基础》课程电子教案（PPT课件）第四章 晶体中的缺陷 4-4 金属及合金强化的位错解释

《材料科学基础》课程教学资源（教案讲稿）晶体结构缺陷

中国科学技术大学：《物理化学》课程教学资源（学习指导）Physical Chemistry III Chapter 2 晶体中的缺陷 Defect

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西安建筑科技大学：《材料科学基础》精品课程教学资源（电子教案）第三章 晶体结构缺陷（图片版）

一、固体的结合类型 二、晶体的结合能 三、晶体的缺陷 四、热缺陷的统计数目 五、点缺陷的扩散运动 六、点缺陷的漂移运动 七、晶体的弹性 八、范性形变和滑移

5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

6.1 晶体结构 6.2 晶体的缺陷 6.3 扩散过程 6.4 相图 6.5 金属的强化

一、晶体的特征。晶体的基本类型 二、实际晶体。晶体的缺陷和信息材料。 三、合金。液体及其显示原理

1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷