分析了传统的双电层理论或Donnan膜平衡理论在解释离子交换膜的选择透过性机理上存在的局限性,提出了“空穴传导-双电层”假说,认为离子交换膜在溶液中由于反离子的迁移在膜内留下“离子空穴”,同时在膜的两侧形成“双电层”结构,“空穴”和“双电层”共同作用的结果使溶液中与反离子同号的离子能够通过离子交换膜,而与反离子异号的离子无法进入离子交换膜,从而使其具有选择透过性.在此基础上,用“空穴传导-双电层”假说对离子交换膜在无电场和有电场作用的选择透过性进行了合理的分析

给出一种综合具有5个无限接近点(Burmester点)直线的四杆机构的新方法.用该方法综合铰链四杆机构可事先给定欲逼近直线上的点、直线方向以及1个固定铰链的位置,而且在每种给定条件下,都可以得到无穷多种机构供设计者选择.此外还推导出了综合公式,并给出了综合实例,证明了综合公式的正确性

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

§11-3 位移法的基本体系 §11-4 无侧移刚架的计算 §11-5 有侧移刚架的计算

前几章已学过的无源元件有:R、L、C R:耗能、静态、无记忆; L、C:储能、动态、有记忆; 它们都是二端元件。本章介绍两种四端元件: 1.耦合电感:具有电感的特性; 2理想变压器:是静态、无记忆,但不耗能。 受控源也是四端元件,它与将要介绍的耦合 电感均属耦合元件

前几章已学过的无源元件有:R、L、C R:耗能、静态、无记忆; C:储能、动态、有记忆 它们都是二端元件。本章介绍两种四端元件: 1耦合电感:具有电感的特性 2理想变压器:是静态、无记忆,但不耗能。 受控源也是四端元件,它与将要介绍的耦合 电感均属耦合元件

含参变量反常积分的一致收敛 含参变量的反常积分也有两种:无穷区间上的含参变量反常积分 和无界函数的含参变量反常积分

含参变量反常积分的一致收敛 含参变量的反常积分也有两种：无穷区间上的含参变量反常积 分 和无界函数的含参变量反常积分

第一题 1. =[B AB]= 00 1-1 系统有2个状态变量,系统可控要求有2个线性无关的列。但是可控性矩阵只有一个 线性无关的列,所以系统不可控

一、苔纲的一般特征 植物体(配子体)多有背腹之分;孢子体简单,无朔齿,多数无蒴轴,有弹丝,原丝体不发达