一、 历史与现状 二 、EDA技术的基本特征 三 、EDA工具简介 四 、ASIC设计—EDA的重要应用 五 、课程主要内容

一、定义 磁敏传感器是基于磁电转换原理的传感器。1856年发现磁阻效应， 1879年发现霍尔效应60年代初开始应用。 二、分类 体型：霍尔传感器，磁敏电阻 结型：磁敏二极管，磁敏晶体管

10.1脉冲信号与脉冲电路 10.2集成门构成的脉冲单元电路 10.3555定时器及其应用

§4.1 半导体二极管 4.1.1 半导体的物理特性 4.1.2 二极管结构和分类 4.1.3 半导体二极管的伏安特性 4.1.4 二极管的主要参数 4.1.5 二极管的电路模型及应用 4.1.6 稳压二极管 4.1.7 变容二极管 §4.2 双极型晶体管 4.2.1 三极管的结构及电路组态 4.2.2 三极管的特性曲线和工作状态 4.2.3 晶体管的主要参数 §4.3 绝缘栅型场效应晶体管 4.3.1 MOS管类型 4.3.2 MOS管的伏安特性曲线和工作状态 4.3.3 MOSFET主要参数

9.1.1 D/A转换的基本原理 9.1.2 倒T形电阻网络D/A转换器 9.1.4 D/A转换器的输出方式 9.1.3 权电流D/A转换器 9.1.5 D/A转换器的技术指标 9.1.6 D/A转换器的应用

3-1电子变压器现状与发展 1传统电子变压器 在普通铁氧体磁心缠绕铜线绕组,技术比较成熟,价格低廉,工作频率在 100-500KHZ,但体积比较大,转换效率不 2铁氧体平面变压器 铁氧体平面变压器是目前技术最成熟,应用最广泛的变压器,它采用高频 损耗低的平面铁氧体磁心,绕组采用印制铜线条的多层印制板或折叠铜箔 代替漆包线及骨架

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

8.1 基于C54x的DSP最小系统设计 8.2 C54x外部总线结构 8.3 存储器扩展 8.4 A/D、D/A与DSP的接口技术 8.5 Bootloader功能的实现 8.6 C54x系统设计实例 8.7 DSP系统的调试与抗干扰措施

9.1 基于C54x的DSP最小系统设计 9.2 C54x外部总线结构 9.3 存储器扩展 9.4 A/D、D/A与DSP的接口技术 9.5 Bootloader功能的实现 9.6 C54x系统设计实例 9.7 DSP系统的调试与抗干扰措施