实验 1：万有引力常数测量.4 实验 2：加速度传感器的实现与检测.12 实验 3：振动与隔振.25 实验 4：微小差分电容传感检测.34 实验 5：半导体激光器调制转移稳频.47 实验 6：法布里-珀罗腔进行光谱分析和锁定实验.60 实验 7：基于光子规范势的频率离散衍射调控.70 实验 8：单量子点制备和显微观测.77 实验 9：量子纠缠与量子测量实验.84 实验 10：功能材料阻抗测量.94 实验 11：基本天体物理量测量.106 实验 12：氧化物的相变. .120 实验 13：微纳结构样品的无透镜相干衍射成像.127

聚合物的结晶受温度及温度历史影响较大,同时发生结晶又会对聚合物材料温度场产生影响.为了准确模拟冷却过程中温度场和结晶情况,将半结晶性聚合物熔体冷却过程及其结晶过程耦合起来分析,把宏观温度场结果作为介观模拟的输入,再把介观模拟的球晶生长情况作为宏观温度场模拟的输入,可同时得到宏观与介观二个尺度的模拟结果.由于该耦合建立在一定的物理基础上,模拟得到的结果较为合理

4.16 迈克耳逊干涉仪的调整与使用 4.17 电子束的电偏转 4.18 电子束的磁偏转与磁聚焦 4.19 声速的测定 4.20 简谐振动的研究 4.21 分光计的调整和使用 4.22 牛顿环装置测量平凸镜的曲面半径 4.23 杨氏双缝干涉 4.24 夫琅禾费单缝衍射 4.25 导热系数的测定 4.26 铁磁材料的磁滞回线和基本磁化曲线的测量 4.27 PN 结正向压降与温度关系的研究和应用 4.28 光速的测量

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1. 光波导材料介绍 2. 成膜技术 3. 图案形成技术 4. 波导实现技术 5. 器件的封装测试技术 6. 专题：光波导的损耗

第一节 基本磁学量 第二节 磁化状态下磁体中的静磁能量 第三节 物质按磁性分类 第四节 磁性材料的磁化曲线和磁滞回线

SPP激发对光透射偏振调控 SPP色散、态密度和场增强效应 SPP亚波长约束和纳米光子集成 SPP的面内传播与操控 SPP的量子特性 超构材料（metamaterial）

3.1 PCSS实验与理论研究现状 3.2 半导体材料的光吸收机理 3.3 高偏置电场下载流子分布规律的实验结论 3.4 高偏置电场下载流子散射机制 3.5 GaAs PCSS的线性物理机制 3.6 GaAs PCSS的非线性物理机制