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嵌入式系统硬件体系设计概述 一.嵌入式系统及其硬件体系概述 二.嵌入式硬件体系的基本构成 三.嵌入式硬件体系设计的方法简介 四.嵌入式硬件体系设计的要求与目标 五.一个设计实例（多功能智能型单相电度表） 六.设计参考网站推荐 单片机及其应用设计 数字信号处理器及应用设计 可编程逻辑器件及应用设计 嵌入式硬件系统中的接口设计 嵌入式硬件系统中的测量与控制电路设计 基础电子线路设计 硬件电路的原理图与PCB板图设计 嵌入式系统抗干扰设计

本项目将介绍固定电阻器的电路符号、参数、型号及命名、识别方法、特点及检测与代换；可变电阻器的结构特点、主要参数和检测；常用敏感电阻器的电路符号、参数、特点和应用；通过各种电阻器的识别和检测，了解电阻器在电子线路中的作用。 能力目标： •熟悉固定电容器的电路符号、参数、型号及命名方法 •掌握固定电阻器的识别方法、检测及使用代换 •掌握可变电阻器的结构特点、主要参数和检测 •了解常用敏感电阻器的电路符号、参数、特点和应用 •掌握万用表测量电阻器的使用方法 ◼任务1-1 固定电阻器 任务1-2 可变电阻器 任务1-3 敏感电阻器

采用CCT-AY-Ⅱ型钢板连续退火机模拟分析了退火时间对中锰TRIP钢0.1C-7Mn组织性能的影响规律.利用扫描电镜、透射电镜、电子背散射衍射和X射线能量色散谱等研究了不同工艺下制备的0.1C-7Mn钢的微观组织和成分,利用X射线衍射法测量了残留奥氏体量,利用拉伸试验测试了其力学性能.0.1C-7Mn钢在650℃保温3 min退火后获得最佳的综合力学性能,其强度为1329 MPa,总延伸率为21.3%,强塑积为28 GPa·%.分析认为,0.1C-7Mn钢的高塑性是由亚稳奥氏体的TRIP效应和超细晶铁素体共同提供的,而高强度是由退火冷却过程中奥氏体转变的马氏体和拉伸变形过程中TRIP效应转变的马氏体的强化作用造成的

采用含有不同含量磷的电子轰击纯铁作样品,经脱碳脱氮后,用低频倒扭摆测量其300—800℃之间的内耗值。结果表明,磷含量在0.007—0.28wt%之间的五根样品,分别于580℃和470℃左右出现两个内耗峰,激活能分别为2.13ev和1.80ev。经高温保温一定时期淬火处理后,这两个峰全部消失。由此看出,580℃左右的峰可能是Fe—p的ss峰,而470℃的峰可能是纯铁的PM峰。本文还研究了一根含稀土元素铈的铁磷合金的内耗。发现在703℃、601℃和500℃相应出现三个内耗峰。初步认为,它们分别是Fe—Ce的ss峰、Fe—P的ss峰和纯铁的PM峰

采用无水电解法提取不锈钢中存在的典型夹杂物，通过扫描电子显微镜观察夹杂物三维形貌，并根据元素组成对夹杂物进行分类和形貌分析，对具有相同化学成分但不同三维形貌的夹杂物进行了表征和归纳。利用FactSage 7.0热力学软件，对不同夹杂物的平衡状态进行了计算，研究了温度和钢液成分对于夹杂物平衡的影响，并得到相应的平衡相图。结果表明，无水电解可以有效地将不锈钢中夹杂物完整地提取出来，避免了金相法带来的误差，可以更加清晰的观测夹杂物的三维形貌；经扫描电子显微镜观察和测量，较大的氧化铝夹杂物表面较为容易出现钛元素的富集区域，且大部分夹杂物形貌主要为球状和表面较为光滑的多面体状，直径一般不大于5 μm。通过热力学计算得到，钢中夹杂物的生成与钢中元素质量分数密切相关，在1873 K时，Mg、Ti、Si元素质量分数的不同会导致生成不同的夹杂物

为研究连续退火工艺生产中锰TRIP钢汽车板的可行性，在钢板连续退火模拟机CCT-AY-域上研究了590~710℃不同退火温度下保温3 min对低碳中锰钢组织性能的影响.利用扫描电镜、透射电镜、电子背散射衍射和X射线能谱分析等微观分析方法对实验钢进行了组织结构和成分表征，利用X射线衍射法测量了残余奥氏体量，通过拉伸试验机测试了钢的单轴拉伸性能.结果表明：保温3 min时，随着保温温度的升高，残奥含量先增加后减少.在650℃退火时断后伸长率（21.3%）和强塑积（28 GPa·%）获得最大值，抗拉强度达到1330 MPa.马氏体基体通过回复，而残余奥氏体通过孪晶，获得超细晶组织.亚稳奥氏体的TRIP效应和超细晶铁素体（马氏体）共同提供了实验钢高的塑性.实验钢真实应力-应变曲线上呈现锯齿状现象，且稳定阶段加工硬化指数远高于传统TRIP钢

为了研究逆转变奥氏体在应力和低温条件下的稳定性,通过透射电子显微镜对淬火+回火(QT)和淬火+两相区淬火+回火(QLT)处理9Ni钢中逆转变奥氏体进行形貌观察.结果发现QT处理钢中逆转变奥氏体以块状形态存在;QLT处理钢中逆转变奥氏体以块状和薄膜状存在,薄膜状逆转变奥氏体分布在板条边界上.通过X射线衍射对液氮浸泡前后逆转变奥氏体含量和其碳含量的变化进行测量,发现QLT工艺处理后在液氮中稳定存在的逆转变奥氏体的含量要高于QT工艺.通过三点弯曲试验、单轴拉伸和压缩试验研究其机械稳定性,发现拉应力和压应力均能促使逆转变奥氏体转变,大部分残留奥氏体分布在晶内

以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合