本文对GH220合金弯晶形成机制以及加入W、Mo、C、Ce（微量）等元素的作用进行了初步探讨。试验结果表明:对于GH220合金,慢速缓冷时形成弯晶为γ′机制;快速冷却和采用等温工艺时为碳化物机制。并摸索到上述各元素最佳含量范围,对生产有一定参考价值

1 概述 2 组合逻辑电路的分析方法和设计方法 3 常用的组合逻辑电路 4 组合逻辑电路中的竞争——冒险现象

2-1平面汇交力系合成和平衡的几何法 2-2平面汇交力系合成和平衡的解析法 2-3力矩、力偶的概念及其性质 2-4平面力偶系的合成与平衡 2-5平面平行力系的合成与平衡

一、 函数误差 二、随机误差的合成 三、 系统误差的合成 四、系统误差与随机误差的合成 五、误差分配 六、 微小误差取舍准则 七、 最佳测量方案的确定

3.1 概述 3.2 组合逻辑电路的分析和设计 3.3 若干常用的组合逻辑电路 3.4 组合电路中的竞争—冒险现象

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

RNA 的生物合成包括转录和 RNA 的复制。 转录（transcription）：以一段DNA的遗传信息为模板，在 RNA 聚合酶作用下，合成出对应的RNA的过 程，或在 DNA 指导下合成 RNA。 转录产物：mRNA 、rRNA、 tRNA、小RNA 除某些病毒基因组RNA 外，绝大多数RNA分子都来自DNA转录的产物

核酸的生物功能 DNA、RNA 核苷酸的生物功能 ①合成核酸 ②是多种生物合成的活性中间物糖原合成，UDP-Glc。磷脂合成，CDP-乙醇胺，CDP-二脂酰甘油

第一节 酶通论 第二节 酶促反应动力学 第三节 酶的作用机制 第四节 酶的活性调节 第一节 概述 第二节 核酸的化学组成 第三节 核酸的分子结构 第四节 核酸的性质 第五节 核酸的研究方法 一、DNA复制方式 二、参与DNA复制的因子 三、DNA复制过程 四、逆转录 五、DNA损伤的修复 1. RNA合成的机制 2. RNA的转录后加工 1. 遗传密码的特性 2. 蛋白质生物合成的一般过程

§10-1概述 §10-2斜弯曲 §10-3拉(压)弯组合变形 §10-4弯扭组合变形 §10-5组合变形的普遍情形