点击切换搜索课件文库搜索结果(990)
文档格式:DOC 文档大小:672KB 文档页数:5
一、单项选择题(每小题3分,共30分) 1.y-2y+y=(x+1)ex的特解形式可设为(A) ()x2(ax+b)e*; (B)x(ax+b)*: ()(ax+b): (D)(ax+b)x2
文档格式:PPT 文档大小:605.5KB 文档页数:32
试验原理 1、分散团粒,制成悬液;确定粒径小于0.1mm土颗粒在水中沉降速度及其换算。 2、颗粒直径平方与沉降速度成正比,测速度大小来区分粒径大小。试验测土粒在水中下沉距离L和时间t,用公式求d
文档格式:DOC 文档大小:185KB 文档页数:8
一块含0.1%C的碳钢在930℃渗碳,渗到0.05cm的地方碳的浓度 达到0.45%。在t>0的全部时间,渗碳气氛保持表面成分为 1%,假设D=2.0×10-5exp(-10000/RT)(m2/s)
文档格式:DOC 文档大小:113.5KB 文档页数:19
1、辨别醛糖和酮糖,D型糖和L一型糖,吡喃糖和呋喃糖,α糖和β糖。 2、举例说明哪些糖互为同分异构体,旋光异构体,异头体,表构体(差向异构体),对映体? 3、辨别糖酸,糖醇,糖杀,糖苷,糖醛酸,糖胺和糖酯 3.理论上己醛糖可能有多少个立体异构体?有多少对映体?
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
文档格式:DOC 文档大小:336.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
文档格式:DOC 文档大小:260KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
首页上页6970717273747576下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 990 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有