4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

第二章立体化学(Steric Chemistry) 立体化学 分子结构 一、对映异构 (一)分子的对称性 对称要素 对称分子 非对称分子 不对称分子 (二)含一个手性中心的分子 手性中心为碳原子的分子

色谱是通过待分离的物质在流动相和固定 相之间分配比的差异进行分离(分析)的 方法

将传统涂料与改性石墨烯复合，在7A52铝合金基体上制备防腐性能优良的石墨烯复合涂层.采用电化学噪声技术监测石墨烯改性涂层在质量分数为3.5%的NaCl溶液中的初期腐蚀过程.通过电化学噪声的时域分析、时域统计分析、傅里叶变换、频域分析，对不同石墨烯含量复合涂层的腐蚀过程进行研究，确定石墨烯具有最佳防腐蚀性能含量，根据电化学噪声特征参数的变化对涂层腐蚀情况进行具体研究.结果表明：添加不同含量的改性石墨烯，涂层在一定时间内出现不同程度的电化学噪声；当石墨烯涂层发生腐蚀时，电流电位变化过程为：波动范围由小变大→两者同步波动→电位缓升急降→两者波动范围再次变小.涂层交流阻抗在高频区的阻抗值随改性石墨烯含量的增加而增加；涂层添加改性石墨烯后，涂层腐蚀电位明显正移，自腐蚀电流密度减小，涂层的耐腐蚀性能明显提高；不同石墨烯含量涂层在3.5% NaCl溶液浸泡后铝合金表面出现不同程度点蚀，质量分数1%的石墨烯涂层仅出现少量点蚀坑；结合交流阻抗、极化曲线结果以及铝合金表面腐蚀形貌，综合分析确定石墨烯质量分数为1%时涂层防腐蚀性能最佳

一、本章重点 1.证券市场两个经济指标分析。 2.证券投资动机及心理因素分析。 3.行业市场类型及影响因素分析。 4.证券市场“板块”比较分析

分布的上侧a分位数 1.正态分布的上侧a分位数设X~N(0,1),0ua)=a的数ua为标准正态分布的上侧a分位数;

一、本章重点 1.技术分析的定义和三大假设的内容。 2.技术分析的四个基本要素。 3.道氏理论对股价变动趋势的分析。 4.波浪理论的基本形态与数浪规则。 5.波浪的涨跌比例与时间之窗分析

第一章总论 第二章渗流物理和过滤理论 第三章过滤式离心机 第四章进动离心机 第五章沉降式离心机 第六章水力旋流器 第七章相似理论与类比设计 第八章粒状滤料过滤装置 第九章纤维深层过滤器 第十章加压过滤 第十一章真空过滤机 第十二章过滤介质 第十三章膜分离方法简介

1. MATLAB中概率分布函数 2. 二项分布实验 3. 泊松分布实验 4. 二项分布与泊松分布关系实验 5. 连续型随机变量分布实验 6. 随机变量的均值与方差 7. 逆累积分布函数实验 8. 中心极限定理实验

在硅钼炉中，1400℃的条件下，利用硅钙合金、稀土硅、铝基脱磷剂等对高磷硅锰合金进行还原脱磷实验研究.脱磷实验采用CaO-CaF2（质量比为25∶75）为覆盖渣，渣金比为0.2∶1.采用ICP光谱仪检测脱磷后合金中的磷含量，X射线衍射检测渣样物相成分，着重分析了不同脱磷剂及其用量对高磷硅锰合金还原脱磷的影响.结果表明：随脱磷剂用量的增加，硅锰合金脱磷率呈上升的趋势.其中，铝基脱磷剂脱磷效果最好，当其质量分数达到8%时，合金中磷的质量分数可降至0.21%，符合国标要求（≤ 0.25%），脱磷率达78%；硅钙合金次之，当其质量分数达到10%时，脱磷率为47%；稀土硅的脱磷效果最差，当其质量分数达10%时，脱磷率仅22%.铝基脱磷剂为本实验条件下的最佳脱磷剂