本文拟就我国湿法棒球磨机应用弧形筛分级矿（料）浆的研究结果,详细阐述弧形筛的作用原理和分级理论、操作参数和分级过程的关系,简要论述大弧度、高压力的270°弧形筛问题,并提出采用新型的矩—梯形组合断面筛条,以及采用小弧度、低压力的180°～90°弧形筛串联分级问题

本文选用薄晶体透射电镜法及x射线衍射定量相分析法研究10MOWVNb抗氢钢在γ→α转变过程中碳化物析出规律,观察到碳化物主要以相间沉淀,纤维状生长及位错上析出三种方式形成,通过对碳化物固溶温度估算及x射线定量相分析,进一步阐明在所给条件下析出的碳化物主要为V4C3。运用晶界相对入射电子束倾斜能显示二维晶界面特征方法,验证了Honeycombe提出的有关相间沉淀碳化物生核、长大的观点。文中对高温回火过程中,碳化物可能以恒温相间沉淀方式析出进行了初步探讨

铬酸镧（LaCrO3）陶瓷材料在高温热电和固体氧化物燃料电池（SOFC）等领域具有广泛的应用价值，然而其烧结性能差、导电率低等不足却限制了LaCrO3陶瓷的高性能应用.针对上述问题，采用放电等离子烧结（SPS）方式制备致密的LaCrO3块体.同时，通过A位掺杂Ru元素，以期实现高电导率的掺杂态铬酸镧（La1−xRuxCrO3）致密陶瓷

灵敏度定义：当给定系统的输出信噪比（ P P so no ）的 条件下，接收机的有效输入信号功率 Psi  的最小值 Psi,min  （或接收机所能检测的最低输入信号电平 Vs,min ）

一、模拟乘法器调幅电路 模拟乘法器是低电平调幅电路的常用器件,与工它不仅可以实现普通调幅,也可以实现双程边带调幅与单边带调幅

基于实际的工程参数建立了高压直流干扰电场计算模型，利用数值模拟计算技术对高压直流干扰大幅值管地电位的产生原因进行探究。考察接地极与管道之间的间距、管道防腐层类型、管道长度及土壤结构等因素对高压直流干扰下管地电位的影响规律，得到高压直流干扰大幅值管地电位是在接地极与管道距离较近、防腐层的绝缘性能较高、管道长度较大及上低下高的土壤电阻率分层结构共同作用下产生的

根据有关的热力学数据和Criss、Cobble提出的熵对应原理计算了Sb—H2O体系在100、150、200℃下的电位—pH图。计算结果表明,随温度升高Sb的稳定性区域稍有缩小,特别是在高pH值的部份有同较低电位和较小PH值方向移动的趋势,在SbO2-,SbO3-区域扩大的同时Sb2O3,Sb2O5的稳定区域亦缩小。这是由于随温度上升,这些离子稳定性增加的缘故。最后,依照电位—pH图对钢铁表面上Sb涂层的腐蚀与保护条件进行了初步探讨

直接调频的优点是能够获得较大的频偏，但其缺 点是中心频率稳定度低，即便是使用晶体振荡器直 接调频电路，其频率稳定度也比不受调制的晶体振 荡器有所降低。 借助调相来实现调频，可以采用高稳定的晶振作 为主振器，利用积分器对调制信号积分后的结果，对 这个稳定的载频信号在后级进行调相，就可以得到频 率稳定度很高的调频波

一、了解数字滤波器的基本概念 二、理解IIR数字滤波器的各种类型 三、掌握IIR数字滤波器特性分析的方法 四、掌握模拟滤波器的低通设计方法 五、掌握高通、带通及带阻滤波器的设计方法 六、掌握IIR数字滤波器阶数的选择 七、掌握模拟滤波器的离散化

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路