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上海交通大学:《微机原理与接口技术》课程教学资源(课件讲稿)第十四章 MCS-51单片机(2/2)
文档格式:PDF 文档大小:593.65KB 文档页数:68
14-4 MCS-51最小系统的应用 最小系统的应用 14-4-1 MCS-51最小应用系统 14-4-2 中断系统 14-4-3 定时器/计数器 14-4-4 串行口 14-5 MCS-51系列单片机系统扩展 系列单片机系统扩展 14-5-1 系统扩展的内容与方法 14-5-2 程序存储器的扩展 14-5-3 数据存储器的扩展 14-5-4 并行I/O口的扩展 14-5-5 单片机系统的应用
基于减法聚类的带钢厚度数据驱动建模
文档格式:PDF 文档大小:878.12KB 文档页数:8
针对轧钢生产中大批过程数据没有被用于提高厚度质量的现象,提出了一种基于减法聚类的带钢厚度数据驱动在线建模方法.首先通过减法聚类将输入空间划分为一些小的局部空间,在每个局部空间中用最小二乘支持向量机建立子模型,子模型加权输出作为带钢厚度的离线模型;然后当在线数据不断增加时,通过在线减法聚类算法实时调整局部空间,子模型的参数采用最小二乘支持向量机的递推算法进行相应的在线辨识,子模型的预测输出作为模型的最后输出.实验结果表明,该方法具有良好的预测精度和较强的在线学习能力
小变形扩散-轧制生产蜂窝复合板中的助复剂
文档格式:PDF 文档大小:483.09KB 文档页数:3
助复剂的选择与配制是小变形条件下采用扩散-轧制法生产复合钢板的关键问题之一.为了开发一种适用于碳钢,并在低中温(<850℃)条件下使用的助复剂,研制了一种以铜为基体元素,锌为主要合金元素,锰为主要添加元素,再加入少量的硅、锡、镍、微量的硼和稀土的助复剂,对其成分配比进行了设计并在冶炼过程中对钢板进行了涂镀.扫描电镜及轧制结果表明,助复剂与钢板接合处发生了原子之间的扩散,界面结合较好,助复剂厚度达到后续小变形轧制复合的要求
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
《小企业管理》课程电子教案(PPT教学课件)第十一章 小企业人才战略
文档格式:PPT 文档大小:226.5KB 文档页数:23
新课程引入 案例 腾飞公司成立已经快3年时间了,不过这也是比较小的公司。 在公司成立之初,许多事情都是由老总马黎明一个人说了算。 好在前两年的形势不错,公司的经营业绩也好。所以去年公 司的规模几乎扩大了一倍
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
基于小波分解的设备状态预测方法
文档格式:PDF 文档大小:402.26KB 文档页数:3
首次提出将小波分解应用于非平稳时间序列的预测中,通过小波分解将非平稳时间序列分解为多层近似意义上的平稳时间序列,并且用AR(n)模型对分解后的时间序列进行预测,进而得到最终的预测结果.将该方法应用于压缩机轴承座磨损的趋势预测中,通过与基于BP网络的预测方法相比较表明:该方法预测精度高,而且预测速度快,可以有效地应用设备状态的预测和设备故障趋势的分析中
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
《小燕子进步了》ppt课件1_《小燕子进步了》课件(西师大版小学语文一年级下册课件)(1)
文档格式:PPT 文档大小:878KB 文档页数:12
《小燕子进步了》ppt课件1_《小燕子进步了》课件(西师大版小学语文一年级下册课件)(1)
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
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