灵敏度定义：当给定系统的输出信噪比（ P P so no ）的 条件下，接收机的有效输入信号功率 Psi  的最小值 Psi,min  （或接收机所能检测的最低输入信号电平 Vs,min ）

根据连铸坯表面图像的特点,提出了一种基于Contourlet变换的连铸坯表面缺陷识别方法.通过Contourlet变换将样本图像分解成不同尺度和方向的子带,提取子带的Contourlet系数特征,并结合样本图像的纹理特征,得到一个高维的特征向量.利用监督核保局投影算法对高维特征向量进行降维,将降维后的低维特征向量输入支持向量机,对连铸坯表面图像进行分类识别.对现场采集到的裂纹、氧化铁皮、光照不均和渣痕四类样本图像进行实验,本文提出的识别方法对样本图像的识别率可达94.35%,优于基于Gabor小波的识别方法

一、模拟乘法器调幅电路 模拟乘法器是低电平调幅电路的常用器件,与工它不仅可以实现普通调幅,也可以实现双程边带调幅与单边带调幅

基于实际的工程参数建立了高压直流干扰电场计算模型，利用数值模拟计算技术对高压直流干扰大幅值管地电位的产生原因进行探究。考察接地极与管道之间的间距、管道防腐层类型、管道长度及土壤结构等因素对高压直流干扰下管地电位的影响规律，得到高压直流干扰大幅值管地电位是在接地极与管道距离较近、防腐层的绝缘性能较高、管道长度较大及上低下高的土壤电阻率分层结构共同作用下产生的

采用传统氧化物法制备了具有成分分子式为Ni0.5-xZn0.5CoxFe2O4(x=0,0.01,0.02,0.03)的高频功率NiZn铁氧体,并主要研究了其磁性能在-40~200℃宽温范围内随温度的变化关系.同时,还研究了Co3+的添加量对样品的高温功耗的影响.结果表明,适量地添加Co3+有助于铁氧体晶粒的均匀细化,高频功率NiZn铁氧体的起始磁导率和功率损耗的温度特性也得到了改善,功耗谷底温度随Co3+含量的增加逐步向低温方向移动.在-40~200℃宽温范围内,成分分子式为Ni0.49Zn0.5Co0.01Fe2O4的样品不但具有极低的高频宽温功耗,而且具有良好的温度稳定性,其磁导率比温度系数为3×10-6℃-1,同时其在高温(100~200℃)下的功耗变化范围仅为130~140kW·m-3,最低仅为130kW·m-3(1MHz,10mT)

研究了一种[001]取向镍基单晶合金的蠕变特征和变形期间的微观组织结构.结果表明:在低温高应力和高温低应力条件下,合金具有较长的蠕变寿命和较低的稳态蠕变速率;在700℃,720MPa条件下,透射电镜(TEM)观察显示蠕变期间的变形特征是$\\frac{1}{2}$<110>位错在基体中运动,发生反应形成$\\frac{1}{3}$<112>超肖克利(Shockley)不全位错,切入γ'相后产生层错.在900℃,450MPa条件下,没有出现蠕变初始阶段,γ'相从立方体形态演化成筏形;在加速蠕变阶段,多系滑移开动,大量位错剪切γ'相是变形的主要机制.在1070℃,150MPa条件下,γ'相逐渐转变成筏形组织,并在γ/γ'界面处形成致密的六边形位错网,位错网可以阻止位错切入γ'相,提高蠕变抗力;在蠕变后期,位错以位错对形式切入γ'相,是合金变形的主要方式

研究温度、压力和升压速度对使用催化剂合成琥珀色立方氮化硼的影响.结果表明,在本实验条件下,合成立方氧化硼所用的温度、压力都低于合成金刚石的值;减慢超压速度有利于改善立方氮化硼的合成效果

直接调频的优点是能够获得较大的频偏，但其缺 点是中心频率稳定度低，即便是使用晶体振荡器直 接调频电路，其频率稳定度也比不受调制的晶体振 荡器有所降低。 借助调相来实现调频，可以采用高稳定的晶振作 为主振器，利用积分器对调制信号积分后的结果，对 这个稳定的载频信号在后级进行调相，就可以得到频 率稳定度很高的调频波

一、理解布局管理器的作用 二、掌握FolwLayout、GrildLayout、BorderLayout使用 三、了解组件之间的关系 四、掌握常用组件的使用 五、了解事件处理的原理 六、掌握事件的注册、监听和处理 七、了解WT事件继承层次 八、理解高级事件和低级事件的概念 九、掌握窗口事件、鼠标事件、键盘事件的应用

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路