采用光学显微镜、带能谱的扫描电子显微镜等分析技术观察了不同冷速下La脱氧钢的显微组织，并绘制了静态连续冷却转变图．实验结果发现，在4~10℃·s-1的冷速范围内，钢中会有大量晶内铁素体形成，其中在8℃·s-1冷却时可以获得大量细小且弥散分布的晶内针状铁素体．La脱氧钢中含La夹杂物与α-Fe相有较低错配度，其中La2O2S夹杂物与α—Fe相的品格错配度最小为0．2％，钢中含La夹杂物均可诱导晶内针状铁素体形核并可促进感生形核．进而细化组织．

本文采用偏光、反光及高温显微镜的研究方法为主,并配合x射线分析和扫描电子显微镜分析等研究方法,较详细地研究了包钢高炉炉瘤中的矿物组成及其显微结构的特征。研究表明:(1)在包钢炉瘤中存在有大量的钾、钠硅铝酸盐矿物,如钾霞石(K2O·Al2O3·2SiO2)、白榴石(K2O·AlO3·4SiO2)、斜长石(Na2O·Al2·6SiO2-CaO·Al2O3·2SiO2)、氟云母(KAl3Si3O10F2-K(Fe,Mg)3AlSi3O10F2)等,还有氟硅钾石(K2SiF6)、冰晶石（Na3AlF6）、枪晶石（3Ca0·2SiO2·CaF2）萤石（CaF2）、碳酸钾（K2CO3）硅酸钾K2SiO3)、硅铝酸钾（K2O·Al2O3·SiO2）及氟化钾（KF）、氟化钠（NaF）等。研究认为钾、钠碱金属在炉内的循环富集,是高炉结瘤的根本原因。（2）除钾、钠碱金属在炉内循环富集外,同时还存在着氟的循环富集,研究认为氟对高炉炉瘤的生成起到一定的促进作用。（3）通过对高炉炉瘤以及高炉终渣矿物组成的研究证明,防止高炉结瘤最根本的措施是减少入炉原料中的碱金属含量。在当前入炉原料条件下,采用低碱度酸渣冶炼,以利在高炉终渣中生成碱金属硅酸盐矿物,提高终渣排碱率,减少碱金属在炉内的富集,已为当前生产中防止结瘤的有效措施

第一节 细菌的大小与形态 （The size and shape of bacteria) ① 属于原核单细胞生物，有细胞壁,形体微小，结构简单。 ② 无成形的细胞核，无核仁及核膜，除核蛋白体外，无其 他细胞器。 ③ 多数在自然界中自由生活，少数营严格寄生生活。 细菌的定义 第二节 细菌的结构 (Bacterial structure) • 基本结构：细胞壁、细胞膜、细胞质、核质。 Basic Structure：Cell Wall, Cell Membrane, Cytoplasm, and Nucleoid • 特殊结构：荚膜、鞭毛、菌毛、芽胞 Specific Structure：Capsules, Flagella, Fimbriae or pili , Spores 第三节 细菌形态检查法 (morphological examination) ➢ 普通光学显微镜 (light microscope) ➢ 电子显微镜 (electron microscope) ➢ 暗视野显微镜 (darkfield microscope) ➢ 相差显微镜 (phase contrast microscope) ➢ 荧光显微镜 (fluorescence microscope) ➢ 共聚焦显微镜 (confocal microscope) ➢ 染色法 (staining)： 革兰染色法( Gram Stain) 抗酸染色法(Acid Fast Stain)

绪论 上篇 植物器官形态和显微结构 第一章 植物的细胞 第二章 植物的组织 第三章 植物的器官 第一节 根 第二节 茎 第三节 叶 第四节 花 第五节 果实 第六节 种子 下篇 药用植物的分类 第四章 植物分类概述 第五章 藻类植物 第六章 菌类 第七章 地衣门 第八章 苔藓植物门 第九章 蕨类植物门 第十章 裸子植物门 第十一章 被子植物门 实验： 1、植物界的各大类群 2、植物的细胞构造和显微镜的使用 3、质体与贮藏营养物质 4、晶体 5、保护组织 6、机械组织 7、输导组织和分泌组织 8、根的初生构造 9、根的次生构造和异常构造 10、根和茎的外形 11、茎的初生构造 12、茎的次生构造 13、根状茎和叶的构造 14、叶的形态 15、花的构造 16、花粉和花序 17、果实与种子的形态与构造 18、药用植物腊叶标本制作 19、藻类、真菌、地衣植物（低等植物） 20、苔藓植物和蕨类植物（颈卵器植物） 21、裸子植物 22、双子叶植物纲离瓣花植物之一 23、双子叶植物纲离瓣花植物之二 24、双子叶植物纲合瓣花植物 25、单子叶植物纲植物

采用高精度微动磨损试验机SRV Ⅳ研究蒸汽发生器传热管材料Inconel600合金在不同位移幅值下的微动磨损行为，分析了位移幅值对摩擦因数和磨损体积的影响.采用光学显微镜和扫描电子显微镜观察磨损表面和截面的形貌，并用透射电子显微镜对摩擦学转变组织进行观察.结果表明：随位移幅值的增加，摩擦因数和磨损体积逐渐增大，材料的微动行为先后经历以黏着为主的部分滑移区以及滑动为主的完全滑移区；磨损机制也由黏着磨损逐步转变为氧化磨损和剥层磨损的共同作用；微裂纹出现在黏着区域和滑动区域的交界处以及滑动区域内；黏着区氧分布密度和磨痕外基体的相一致，氧化主要发生滑动区域；磨痕亚表层的组织发生了严重的塑性变形，产生纳米化现象，摩擦学转变组织的晶粒尺寸约100 nm，远小于原始组织的15~30μm

借助光学显微镜、电子背散射衍射和扫描电子显微镜等测试技术和手段,系统地研究热处理温度对TA2-Q235B爆炸复合板钢侧组织转变的影响,并分析了其形成机理.结果表明:在热处理过程中,钢侧界面组织发生脱碳,形成完全由铁素体组织组成的脱碳层,这些铁素体没有织构特征;当热处理温度在850℃及以下时,钢侧界面组织在靠近波头漩涡的地方发生异常长大,形成粗大的铁素体;当热处理温度在900℃及以上时,钢侧界面组织在钛钢复合界面上发生异常长大,产生柱状的铁素体组织.这些组织的形成受到碳元素的扩散和钢侧基体组织相变的共同作用.热处理过程中,界面产生的TiC在界面上分布不均,随温度升高,在界面局部富集,从而加速了碳元素向界面的扩散

利用光学显微镜、扫描电镜和电子探针研究了H13钢中初生碳氮化物高温分解时的形貌、尺寸、成分变化规律.原始初生碳氮化物主要为10~30 μm的长条状（Vx，Mo1-x）（Cy，N1-y）及少量方形的（Tix，V1-x）（Cy，N1-y）.在1200℃保温2.5 h后碳氮化物边缘变为凹凸不平的锯齿状，然后形成细小的分解颗粒，10 h后碳氮化物平均长度减小为12.9 μm，主要为（Tix，V1-x）（Cy，N1-y）.当经过1250℃×5 h保温后87%的碳氮化物发生分解，（Vx，Mo1-x）（Cy，N1-y）溶解消失，碳氮化物长度在20 μm以下，当保温时间延长到10 h后碳氮化物长度均在10 μm以下，70%为方形并且93%分解形成细小颗粒，未分解的碳氮化物为（Tix，V1-x）（Cy，N1-y）.电子探针分析（Tix，V1-x）（Cy，N1-y）的分解与Fe元素扩散有关，高温时Fe在（Tix，V1-x）（Cy，N1-y）中含量逐渐增加而Ti、V减少，优先在边部曲率半径较小部位或缺陷处分解，形成0.1~1 μm的细小分解颗粒，并由外向内以区域溶解方式使原始碳氮化物逐渐消

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

采用恒载荷拉伸应力腐蚀试验和电化学试验研究取向对Al-Zn-Mg合金型材的应力腐蚀(SCC) 开裂的影响, 腐蚀介质采用质量分数3. 5%的Na Cl溶液, 容器温度维持在50±2℃, 并通过光学金相显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD) 等研究不同取向试样应力腐蚀前、后的微观形貌.结果表明横向试样在315 h时断裂, 而纵向试样在整个加载过程中未发生断裂, 纵向试样有更好的抗应力腐蚀开裂性能; 纵截面(L-S面) 的腐蚀电流密度为0. 980 m A·cm-2, 约为横截面(T-S面) 的5倍, 腐蚀倾向于沿挤压方向发展; 相比T-S面, L-S面晶粒间取向差较大, 大角度晶界多, 容易被腐蚀产生裂纹; 在应力腐蚀加载过程中, 试样先发生阳极溶解, 形成腐蚀坑, 聚集的腐蚀产物所产生的楔入力和恒定载荷的共同作用促使裂纹在腐蚀介质中加速扩展, 两种取向试样均发生了明显的晶间腐蚀, 存在应力腐蚀开裂的倾向

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域