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微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

随着集成工艺的发展，PLD的集成规模已经有了 很大的改变。CPLD就是一种集成度远远高于PAL和 GAL的电路

第四章集成运算放大电路自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的

2.1 晶体三极管工作原理 2.2 晶体三极管其他工作模式 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2. 4 晶体三极管的伏安特性曲线 2. 5 晶体三极管的小信号电路模型 2. 6 晶体三极管电路分析方法 2. 7 晶体三极管的应用原理 2. 8 集成工艺

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