§8.1 光纤测试技术基础 8.1.1 光纤结构 8.1.2 光纤类型 8.1.3 光纤传输特性 8.1.4 单模光纤的偏振与模式双折射 8.1.5 光纤的连接耦合技术 §8.2 光纤传感器的原理与实现 8.2.1 强度调制光纤传感器 8.2.2 相位调制光纤传感器 8.2.3 频率调制光纤传感器 8.2.4 偏振调制光纤传感器 8.2.5 波长调制光纤传感器 §8.3 光纤布拉格光栅传感器 8.3.1 传感原理 8.3.2 解调技术 8.3.3 封装增敏和复用技术

 1.1 热释电器件的基本工作原理 1.2 热释电器件的灵敏度  1.3 热释电器件的噪声  1.4 热释电器件的类型 1.5 典型热释电器件 1.6 热探测器概述

1. 认识基本的粒子探测实验用的设备：PMT，闪烁体，光导，高压和示波器。 2. 了解他们工作原理，并能实际操作、搭建探测装置。 3. 初步识别PMT脉冲信号，熟悉它的时间、幅度特征

§1 狭义相对论的实验基础 §2 狭义相对论的基本原理 洛仑兹变换 §3 狭义相对论的时空理论 §4 狭义相对论动力学简介 §5 狭义相对论理论的四维形式 §6 电动力学的相对论不变性

§8.1 狭义相对论基本原理 §8.2 相对论时空度量的相对性 §8.2.1 相对论时空观 §8.2.2 时空度量的相对性 §8.3 狭义相对论时空变换及其推论 §8.4 相对论动力学

2.1 基本概念 2.2 运动微分方程 2.3 单自由度无阻尼自由振动 2.4 求单自由度无阻尼系统固有频率的方法 2.5 单自由度系统的有阻尼自由振动 2.6.有阻尼自由运动微分方程的建立

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术