⚫ 苯环上取代基对亲电反应的影响。取代基的分类，致活基和致钝基，邻对位定位基和间位定位基。 ⚫ 取代基对反应活性的影响及定位作用的理论解释。亲电取代中间体的稳定性分析。 ⚫ 双取代基的定位作用，位阻对定位的影响。 ⚫ 取代基的定位作用在合成中的应用。 ⚫ 苯环上的氧化和还原（重点：Birch还原反应）

§10.1 引言 §10.2 化学反应速率 §10.3 速率方程（动力学方程） §10.4 具有简单级数的反应 …… §10.6 几种典型的复杂反应 §10.7 速率常数与温度的关系 …… §10.9 链 反 应 §10.10 拟定反应历程的一般方法

化学反应体系 热力学基本方程 化学反应的方向与限度 为什么化学反应通常不能进行到底 化学反应亲和势

(4) 氧化反应 (5) 聚合反应 (6) α-氢原子的反应 (7) 炔烃的活泼氢反应

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

3.1 概述 3.2 单自由度弹性体系的地震反应分析 3.3 单自由度弹性体系的水平地震作用及其反应谱 3.4 多自由度弹性体系的地震反应的振型分解法 3.5 多自由度体系的水平地震作用 3.6 结构自振周期和振型计算 3.7 地基与结构的相互作用 3.10 结构的抗震验算

第一节过敏反应(Ⅰ型) 第二节细胞毒型(Ⅱ型)变态反应 第三节免疫复合物型(型)变态反 第四节迟发型(Ⅳ型)变态反应

第一节 概述 第二节 酯化反应基本原理 第三节 酯化技术与反应装置 第四节 酯化工艺实例

❖ 超敏反应的类型和发生机制 ❖ 各型超敏反应的主要特点和区别 ❖ 各型超敏反应的代表性疾病

第一节 免疫学技术的范畴与应用 一、免疫学技术的范畴 二、免疫学技术的应用特点 第二节 有关免疫学基本概念 一、抗原的概念与属性 二、免疫细胞的概念与分类 三、免疫应答的概念与过程 第三节 抗原抗体反应的基本原理 一、抗原抗体反应的原理 二、抗原抗体反应的特点 三、影响抗原抗体反应的因素 第四节 免疫学检测技术的评价 一、评价标准 二、特异性与敏感性的关系 第一节 抗原/免疫原制备的基本概念 一、抗原制备的目的 二、抗原的“纯度” 三、抗原制备的主要技术途径 第二节 完全抗原/免疫原的制备方法 一、颗粒性抗原的制备 二、可溶性抗原的制备 第三节 半抗原免疫原制备的方法 一、载体的选择 二、半抗原与载体的联接