绪论 . 3 第一章 晶体几何基础. 8 第二章 晶体化学基础. 23 第三章 晶体结构. 30 第四章 晶体结构缺陷. 36 第五章：熔体和非晶态固体 . 53 第六章：固体表面与界面 . 62 第七章：相平衡. 70 第八章：扩散. 119 第九章：相变. 131 第十章：固相反应. 145 第十一章：烧结. 153

利用多重散射法数值模拟了多个具有五个缺陷点的氧化铝介质柱四方晶格二维光子晶体微腔的透过率T和品质因子Q.结果表明,沿x、y方向介质柱的个数Lx、Ly以及介质柱半径r对微腔品质因子和透过率均有明显影响.通过优化参数,实现了一类具有大透过率T、高品质因子Q的微腔.在模拟范围内,当Lx=13、Ly=17和r=0.25时,微腔品质因子和透过率同时达到较大值,分别为49 270和91%

本文分析了氯离子。镀层缺陷。应力和氢诸因素对晶体管外引线腐蚀断裂的影响,提出了电偶腐蚀、小孔腐蚀（或缝隙腐蚀）、应力腐蚀协同作用的机制,并用这种失效机制解释了现场所观察到的断腿问题

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

采用燃烧合成工艺，制取了细长的β-Si3N4纤维·纤维顶端有小球，小球中含Si，Al成分，纤维有扭曲、拧结现象.VLS机制是控制纤维生长的主要机制.晶体顶端有螺旋生长蜷线.燃烧合成的β-Si3N4为六方柱晶，表面无缺陷。柱晶主要通过VC机制生长。β-Si3N4柱晶是从微晶β-Si3N4中长出的，其生长具有晶格继承性.异相添加剂和少量杂质Al的引入有利于形成较长的柱晶和纤维。控制原始反应物中的添加剂含量，保持较高的燃烧温度，是制取β-Si3N4纤维的关键

第一章 晶体结构 第二章 固体的结合 第三章 晶格振动与晶体的热学性质 第四章 能带理论 第五章 晶体中电子在电场和磁场中的运动 第六章 金属电子论 第七章 半导体电子论 第八章 固体的磁性 第九章 固体中的光吸收 第十章 超导电的基本现象和基本规律 第十一章 固体中的元激发 第十二章 晶体中的缺陷和扩散 第十三章 相图

第三节 固溶体合金的凝固 THE SOLIDIFICATION OF SOLID SOLUTION 固溶体的平衡凝固 固溶体的不平衡凝固 成分过冷及其影响 第四节 共晶合金的凝固 EUTECTIC ALLOYS 共晶体的形态 共晶体的形核及长大 先共晶相的形态 第五节 制造工艺与凝固组织 THE PROCESSING TECHNOLOGY AND SOLIDIFICATION STRUCTURE 铸锭与铸件的凝固组织 铸锭与铸件的缺陷

第一章 硅的基本性质 第二韋 硅的提纯 第三章 晶体生长原理和基本技术 第四章 硅的体单晶生长和硅片加工 第五章 硅和硅基薄膜的外延生长 第六章 硅材料的测试与分析 第七章 硅中的缺陷 第八章 硅中的杂质

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

第三节 固溶体合金的凝固 THE SOLIDIFICATION OF SOLID SOLUTION 固溶体的平衡凝固 固溶体的不平衡凝固 成分过冷及其影响 第四节 共晶合金的凝固 EUTECTIC ALLOYS 共晶体的形态 共晶体的形核及长大 先共晶相的形态 第五节 制造工艺与凝固组织 THE PROCESSING TECHNOLOGY AND SOLIDIFICATION STRUCTURE 铸锭与铸件的凝固组织 铸锭与铸件的缺陷