第六章狭义相对论基础 1.力学相对性原理和伽里略变换 一力学相对性原理 原理:牛顿力学规律在一切惯性系中形式相同,或一切惯性系对力学规律平权

7-2 芳烃的来源和制法 7-1 芳烃的分类和命名 7-3 苯的结构 7-6 重要的单环芳烃 7-4 芳烃的物理性质 7-7 稠环芳烃 7-5 芳烃的化学性质

4-1 烯烃的构造异构和命名 4-2 烯烃的来源和制法 4-3 烯烃的结构 4-4 烯烃的物理性质 4-6 重要代表物 4-5 烯烃的化学性质

掌握烷烃、脂环烃的系统命名法；熟悉构造异构、同分异构理论及其命名方法；掌握构象式（纽曼式和透视式）的写法。掌握烷烃、脂环烃的主要物理性质和化学性质，了解其重要用途和制备方法

0.1计算机发展简史 一、早期的计算工具 东方的创造:算筹、算盘 西方的灵感:机械式计算机 机电式计算机 二、电子计算机的诞生 1946年2月美国宾夕法尼亚大学物理学家莫克利和工程师埃克特为首的数十人共同开发了世界上第一台通用数字电子计算机(ENIAC)

2-1 X射线的本质； 2-2 X射线的产生； 2-3 X射线谱； 2-4 X射线与物质相互作用； 2-5 X射线的探测与防护；

第一章 绪论 第二章 遥感的物理基础 第三章 遥感平台 第四章 遥感传感器 第五章 遥感影像及其特征 第六章 遥感图像处理 第七章 遥感图像的目视判读 第八章 遥感数字图像计算机解译 第九章 遥感专题制图 第十章 遥感应用

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性