利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射和电子探针等研究了0.2C-1.51Si-1.84Mn钢在配分阶段组织的演变情况.配分温度为400℃时,碳在10 s时就可以完成配分,得到残余奥氏体最大体积分数为13.4%.随着配分时间的增长,钢中马氏体发生回火现象,奥氏体发生分解,强度、延伸率降低.当配分时间达到1000 s时,屈服强度、延伸率突然升高.分析认为马氏体回火带来的塑性提高抵消了残余奥氏体量减少引起的塑性降低,并且由于渗碳体和碳化物的析出,变形时阻碍位错的运动,从而提高了屈服强度.通过电子探针分析说明配分阶段发生了碳的扩散,随着配分时间的增长,发生了渗碳体和碳化物的析出,降低了残余奥氏体中碳的含量

研究表明,实验条件下向钢液中加入纯铋时铋的收得率为7.54%.钢液中铋的挥发过程受液/气界面的挥发反应及液相边界层中的扩散混合控制,其传质系数K23在10-2cm/s数量级;实验得出了K23值及钢液中铋浓度的经验计算公式;还探讨了熔渣覆盖对钢液中铋挥发的影响

第七章证券法 学习目标 1.掌握证券发行的一般规定、股票的发行、公司债券的发行、证券投资基金的发行; 2.掌握证券交易的一般规则、证券上市、持续信息公开、禁止的交易行为; 3.掌握上市公司的收购; 4.了解证券交易所、证券中介机构; 5.了解证券的概念、证券法的概念; 6.了解违反证券法的违法行为及其法律责任

利用纯二氧化锰在微酸性条件下对异化金属还原菌进行驯化,二氧化锰的颜色由黑色逐渐变浅至白色,X射线衍射分析表明微生物可有效还原二氧化锰成为碳酸锰;以发酵制氢废液为还原底物,利用异化金属还原菌在不同酸性条件下直接浸出低品位软锰矿,通过单因素实验研究厌氧条件、pH值对锰浸出率的影响,并对制氢废液化学需氧量(COD)的去除率及浸出机理进行研究.结果表明,异化金属还原菌利用发酵制氢废液还原软锰矿,厌氧浸出优于好氧浸出,最佳pH值为3.0~3.5,浸出时间为3 d时,最大浸出率达到98%;用软锰矿对发酵制氢废液在微酸性条件下进行降解,COD质量浓度为2612 mg·L-1时最大去除率达到84%,COD去除率随软锰矿量的增加而增大

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

前述普通精馏方式是以溶液中各个组分的挥发度不同作为分离的依据,若各组分的挥发度差异越大 (即相对挥发度a越大),越易分离。但工业生产中需要分离的溶液,也有不少其挥发度很接近或具有恒 沸点(最高或最低恒沸点),对于这类溶液的分离,用前诉的普通精馏方式就难以实现。例如:

讨论Hilbert空间上半线性随机发展方程dY(t)=[AY(t)+f(Y(t))dt+G(Y(t))]dw(t)的稳定性。为此引进了适度解的正则性和常返性等概念,利用Liapunov直接法得到了此类随机发展方程的随机渐近稳定性、随机指教稳定性、p-稳定性和几乎必然指数稳定性的充分性判据。这些结果不但推广了有限维情形的工作,同时也发展了A.Ichikawa的工作

利用表面接枝改性法,用戊二醛作修饰剂,对上转换发光材料Na[Y0.57Yb0.39Er0.04]F4进行了表面醛基修饰.傅里叶红外吸收光谱证明了醛基的存在,紫外分光光度法定量检测修饰醛基的含量为1.38×10-3mol·g-1,热分析定性地证明了材料表面有机官能团的存在,扫描电镜显示了修饰后上转换无机发光材料颗粒的直径有所增加.沉降实验表明,修饰醛基后的上转换发光材料在水溶液中的分散稳定性得到了提高

本文用慢应变速率实验技术研究了304不锈钢焊接接头在NaCl溶液中的应力腐蚀行为。结果发现:该体系发生应力腐蚀存在一个界限温度,NaCl浓度低于1.0mol/L时,界限温度随NaCl浓度的增加而下降;NaCl浓度高于1.0mol/L时,SCC的界限温度在很宽NaCl浓度范围内变化不大。并给出了该体系发生SCC的T°(C)-[Cl-]-SCC图。焊接接头的应力腐蚀发生在焊缝区,应力腐蚀裂纹是沿着奥氏体枝晶间的δ-铁素体扩展的

熔融工艺是目前处理工业粉尘及飞灰的有效方法.为了能够有效控制熔融工艺中Zn、Pb等重金属资源的分离回收,对比分析了Zn、Pb在含Cl的FeO-CaO-SiO2-Al2O3-Fe2O3渣系中的挥发行为.首先通过热力学计算分析了Zn、Pb在该渣系中可能的挥发气体种类,以及各因子如温度、熔渣成分、氧势和Cl含量等的影响.同时,对以上问题进行了实验研究.最终明确了分别提高Zn、Pb挥发分离效率的不同的技术措施和优化参数