• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

3.1 多级放大电路的耦合方式 3.3 直接耦合放大电路 3.2 多级放大电路的动态分析

研究了大面积金刚石膜沉积过程中的均匀性问题和金刚石膜质量的均匀性问题.研究表明:用于生长金刚石膜的大面积磁旋转等离子体电弧是均匀的,能使气体混合均匀:金刚石膜在形核阶段是均匀的;金刚石膜在生长阶段是均匀的,有利于提高成膜几率:沉积后的金刚石膜的质量是均匀的.大面积磁控长通道等离子矩能生长均匀的金刚石膜,可用于金刚石膜的研究和工业生产

研究了多个执行机构的系数无界Lurie间接控制系统零解的绝对稳定性.首先,把研究对象看作大系统,利用大系统分解技术,把系统分解为一些孤立子系统,通过子系统的Lyapunov函数构造出Lurie间接控制系统的Lyapunov函数,进而得到系统绝对稳定性的多个判别准则.这些判别准则既适用于多个执行机构的系数无界Lurie间接控制系统,又适用于系数有界的这类系统,还适用于常系数的这类系统.同时,将有关结果成功推广应用于多个执行机构的系数无界Lurie间接控制大系统

使用石英晶体微天平（QCM）并结合红外透射光谱（IRTS）研究了海洋大气环境和工业大气环境对金属Zn在薄液膜下大气腐蚀的影响.QCM试验表明:研究的几种电解质中,NaCl对Zn的腐蚀最严重,其次是（NH4）2SO4,NaNO3较弱,Na2CO3最轻微.结合红外光谱对腐蚀产物的分析,阐述了各种不同电解质条件下的腐蚀机理

第五章中试放大与生产工艺规程 中试放大的目的是验证、复审和完善实验室工艺所研究 确定的反应条件,及研究选定的工业化生产设备结构、材质 、安装和车间布置等,为正式生产提供数据,以及物质量和消耗等。 第一节中试放大的研究内容 一、概述 工艺过程—在生产过程中凡直接关系到化学合成反应或生物合成途径的次序、条件(配料比、温度、反应时间、搅拌方式、后处理方法和精制条件等)统称为工艺条件。其它过程则成为辅助过程

结合等温压缩实验获得的IN690合金本构关系,建立了该合金管热挤压过程的有限元模型,该模型考虑了坯料与模具的热传导、对流换热及摩擦功与塑性功的热转换.模拟结果表明:坯料在变形区附近温度开始升高,进入变形区内急剧升高,且在模孔出口靠近芯棒处温度达到最高,芯棒附近的温度大于挤压筒附近的温度;填充挤压阶段结束时出现最大温升.分析得到了工艺参数对出口温度的影响规律:挤压速度越大,出口温度越高,速度过慢将会使出口温度下降严重;坯料预热温度越高,出口温升越小;当摩擦因数小于0.04时,摩擦因数对出口温度影响很小,但摩擦因数大于0.1时出口温度明显升高

采用Monte Carlo方法仿真了以Weibull尺寸分布为初始组织的正常晶粒长大过程.结果显示,二维正常晶粒长大发展到准稳态长大阶段时,其晶粒尺寸分布不是经典Hillert理论所预测的尺寸分布,而是仍然保持Weibull分布,并且参数基本不发生变化.与国际上同类研究成果的比较进一步表明,不同β值的Weibull分布很适用于表征二维晶粒长大的准稳态晶粒尺寸分布,且表征效果优于文献中的已有工作

分别运用腐蚀速率与暴露时间关系的指数模型(D=ATn,D=ATBeC/T)灰色系统\的GM(1,1)模型和环境综合因子模型预测碳钢和低合金钢的大气腐蚀率,并与挂片暴露试验结果进行比较.结果表明,相同材料在不同的大气环境下有着不同的腐蚀规律,碳钢和低合金钢的大气腐蚀预测可选择不同的预测模型

套管螺纹接头必须满足结构完整性,用能考虑螺纹接触边界存在大变形和大滑移条件的有限元程序,对套管螺纹接头滑脱失效影响参数进行了有限元模拟.模拟结果表明:螺纹锥度大小对滑脱影响很小,材料性能对滑脱影响最大;滑脱的开始位置在接箍的端部.模拟结果与实际情况相吻合