点击切换搜索课件文库搜索结果(972)
文档格式:PDF 文档大小:994.13KB 文档页数:12
用抛光的恒位移试样对处理到不同强度(σb=92~185公斤/毫米2)的4种低合金钢在各种致氢环境(如电解充氢、纯氢、气体H2S、水介质、H2S水溶液、缓蚀剂水溶液、丙酮、酒精等有机溶液)下跟踪观察了氢致裂纹的产生和扩展过程。与此同时也测量了各种致氢环境(电解充氢、H2S水溶液、水溶液、水中阴极化和阴极极化)下的KISCC(或KIH)和da/dt。并研究了它们随强度变化的规律。结果表明,当加载裂纹前端的KI>KISCC(KIH)后,在上面所说的任何一种致氢环境下都能产生氢致滞后塑性变形,并由此导致裂纹的产生和扩展。即随着氢的扩散进入,原裂纹前端塑性区及其变形量逐渐增大。对超高强钢,在滞后塑性区端点形成不连续的氢致裂纹,它们随滞后塑性变形的发展逐渐长大以致互相连接。当强度降低时,氢致裂纹沿滞后塑性区边界连续地向前扩展。这就表明,在Ⅰ型裂纹条件下,“氢脆”是氢致滞后塑性变形的必然结果。在所有致氢环境下,止裂KISCC(KIB)均随钢的强度下降而升高。强度相同时,水中加援蚀剂和阳极极化使KISCC升高,阴极极化使KISCC下降,da/dt升高,而在H2S鲍和溶液以及加载电解充氢时KISCC(KIB)最低,da/dt最高。实验也表明,在电解充氮条件下还能以另一种机构形成裂纹。它们的产生和扩展不佼报外载荷,且不伴随有宏观塑性变形。因此是通过氢压机构形成和扩展的
文档格式:DOC 文档大小:1.1MB 文档页数:201
《高等数学 A》 《线性代数 B》 《概率论与数理统计 B》 《大学物理 B》 《物理实验 C》 《工程制图 B1》 《工程制图 B2》 《工程力学 C》 《工程材料》 《电工学基础》 《VISUAL BASIC 程序设计》 《VISUAL BASIC 程序设计》(实验) 《运筹学》 《数据库原理》 《机械设计基础 A》 《国际贸易理论与实务》 《物流工程概论》 《物流管理》 《物流工程经济学》 《仓储与库存控制技术》 《物流设施设备》 《物流系统规划与设计》 《物流系统建模与仿真》 《电子商务》 《供应链管理 》 《物流信息技术》 《运输与配送》 《物流系统工程》 《物流法律与法规》 《机械制造技术基础》 《物流管理信息系统》 《自动化仓库规划与设计》 《机电一体化》 《港口机械》 《专业英语》 《物流工程案例分析》 《物流成本管理》 《物流项目管理》 《配送中心规划与设计》 《生产物流系统》 《海关报关实务》 《物流市场营销学》 《外贸英语函电》 《人力资源管理》 《航运业务与法律》 《港航物流学》 《国际货物运输与保险》 《物流经济地理》 《国际物流学》 《物流系统规划与设计课程设计》 《物流仿真实践》 《物流实训实践》 《金工实习 B》 《认识实习》 《生产实习》 《毕业设计》
文档格式:DOC 文档大小:1.73MB 文档页数:277
《高等数学》教学大纲 《工程数学》教学大纲 《大学物理及实验》教学大纲 《物理化学》教学大纲 《物理化学实验》教学大纲 《无机化学 1》教学大纲 《无机化学实验 1》教学大纲 《有机化学》教学大纲 《有机化学实验 1》教学大纲 《分析化学》教学大纲 《分析化学实验》教学大纲 《化工原理及实验》教学大纲 《化工设备机械基础》教学大纲 《AutoCAD 与工程制图》教学大纲 《化工热力学》教学大纲 《化学反应工程》教学大纲 《分离工程》教学大纲 《化工工艺学》教学大纲 《文献检索与科技论文写作》教学大纲 《专业英语》教学大纲 《精细化工工艺学》教学大纲 《煤化学与应用》教学大纲 《煤化工工艺学》教学大纲 《化工仪表及自动化》教学大纲 《电子电工技术》教学大纲(含实验) 《仪器分析及实验》教学大纲 《工业分析》教学大纲 《化工设计》教学大纲 《课程设计 2(化工原理课程设计)》教学大纲 《课程设计 3(AutoCAD 与工程制图课程设计)》教学大纲 《金工实习 2》教学大纲 《专业实习》教学大纲 《工业见习》教学大纲
文档格式:PDF 文档大小:257.11KB 文档页数:5
在实际中,由于滤波器部件调试不理想或信道特性的变化等因素,都可能使 H(ω)特性改变,从而使系统性能恶化。在码间串扰和噪声同时存在的情况下系 统性能的定量分析更是难以进行,因此在实际应用中需要用简便的实验方法来定 性测量系统的性能,其中一个有效的实验方法是观察接收信号的眼图 观察眼图的方法是:用一个示波器跨接在接收滤波器的输出端,然后调整示 波器水平扫描周期,使其与接收码元的周期同步.此时可以从示波器显示的图形 上,观察出码间干扰和噪声的影响,从而估计系统性能的优劣程度
文档格式:DOC 文档大小:584KB 文档页数:9
第九章向量与空间解析几何 第一节空间直角坐标系与向量的概念 思考题: 1.求点M(x,y,z)与x轴,xOy平面及原点的对称点坐标 解:M(x,y,z)关于x轴的对称点为M1(x-,-z),关于xOy平面的对称点为 M2(x,y-z),关于原点的对称点为M3(-x,-y-z) 2.下列向量哪个是单位向量? (1)ri+i+,(2a-(3)b=33 解:(1)∵=√12+12+12=√3≠1,∴r不是单位向量 (2)=()2+02+(=)2=1,a是单位向量 √ √2 (3)∵3)2++(2=,b不是单位向量
文档格式:PDF 文档大小:417.19KB 文档页数:6
针对目前18脉冲自耦变压器输出电压难以调节的问题,在保持现有18脉冲自耦变压器优势的基础上,提出一种新型降压式18脉冲自耦变压器拓扑结构并对其进行优化.变压器通过每相原边延长绕组与副边移相绕组的连接实现对输出电压的宽范围降压调节.考虑到延长绕组与副边移相绕组连接抽头的位置变化对变压器性能的影响,以变压器降压比及延长绕组连接抽头的位置系数为变量,理论推导不同情况下变压器的通用设计公式,并进行仿真分析,得到相同降压比条件下降压式自耦变压器等效容量最小的最优连接抽头位置.最后通过实验验证了设计的合理性
文档格式:DOC 文档大小:1.16MB 文档页数:172
《高等数学 A》 《C 语言程序设计》 《C 语言程序设计》实验 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《模拟电子技术基础 B》 《数字电子技术基础》 《模拟电子技术基础实验》 《数字电子技术基础实验》 《力学》 《热学》 《电磁学》 《光学》 《普通物理实验》 《原子物理学》 《计算机软件应用技术》 《计算机软件应用技术》实验 《图像处理实用技术》 《图像处理实用技术》实验 《数据库系统原理》 《网站设计与网页制作》 《网站设计与网页制作》实验 《操作系统》 《LINUX 操作系统》 《Linux 操作系统》实验 《网络程序设计》 《网络程序设计》实验 《计算机网络 B》 《计算机网络 B》实验 《流媒体技术》 《流媒体技术》实验 《多媒体软件应用技术》 《多媒体软件应用技术》实验 《NET 程序设计》 《NET 程序设计》实验 《局域网组建与管理》 《局域网组建与管理》实验 《数据结构》 《网络安全》 《VB 程序设计基础》 《VB 程序设计基础》实验 《Flash 技术基础》 《Flash 技术基础》实验 《VC++程序设计》 《VC++程序设计》实验 《视频编辑与制作》 《视频编辑与制作》实验 《电动力学 1》 《热力学与统计物理 1》 《计算机组成原理》 《日语基础》 《量子力学 1》 《三维动画制作》 《三维动画制作》实验 《Java 程序设计》 《Java 程序设计》实验 《科技论文写作》 《认识实习》 《生产实习》 《软件设计与开发实践》
文档格式:PDF 文档大小:7.35MB 文档页数:7
利用水基化学包覆法在纳米钛酸钡粉体包覆氧化铝、二氧化硅和氧化锌等物质,并通过两段式烧结法制备了平均晶粒尺寸120 nm的超细晶钛酸钡基储能陶瓷.包覆层的存在抑制了晶粒生长和异常晶粒长大,同时将陶瓷的交流击穿场强大幅提高至150 kV·cm-1以上,储能密度达到0.829 J·cm-3.电子能量损失谱显示,包覆掺杂的元素明显偏聚于陶瓷晶界,形成具有芯-壳结构的晶粒.而高温阻抗谱的测试和拟合结果则进一步解释了陶瓷性能改善的原因.虽然此超细晶陶瓷的储能密度并不十分突出,但其晶粒细小均匀、烧结温度低,因而可用于制备多层陶瓷电容器,从而大幅提高储能密度,这是常见的储能陶瓷无法实现的
文档格式:PPT 文档大小:1.8MB 文档页数:68
本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
文档格式:PDF 文档大小:2.06MB 文档页数:14
本文利用冲击韧性试验、扫描电镜、离子探针及俄歇谱议等手段研究讨论了合金元素Si和Mn对Si-Mn-Mo-V钢在淬火和低温回火状态下韧性的影响规律。研究结果表明:当钢中不含Si或含有少量Si面单独加入Mn,则由于Mn-P在晶界共偏析的原因,使P在晶界的浓度大为增加,导致了钢在淬火和低温回火状态下沿晶断裂的发生,从而降低了钢的韧性水平。在高Mn(2%Mn)钢中加入Si,由于Si在晶界的富集及Si-P的相互排斥作用,使P在晶界的偏析浓度下降。从而在一定程度上抑制了晶界脆性的发展和晶界断裂的发生,使钢的韧性水平显著提高。本文还研究了Si和Mn对Si-Mn-Mo-V钢低温回火脆性(350℃脆性)的影响。实验结果表明:低温回火脆性既与杂质元素的晶界偏析有关,又与ε碳化物向渗碳体转化及渗碳体沿原奥氏体晶界成薄片状析出有关,由于Si和Mn既能影响杂质元素,特别是P在晶界的偏聚,又能影响ε碳化物向渗碳体转化,故Si和Mn对Si-Mn-Mo-V钢低温回火脆性发生的温度和强烈程度均有显著的影响
首页上页9091929394959697下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 972 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有