§14-1 光是电磁波 §14-2 光源 光波的叠加 §14-3 杨氏干涉实验 §14-4 光程与光程差 §14-5 薄膜干涉 §14-6 迈克耳逊干涉仪 §14-7 惠更斯－菲涅耳原理 §14-8 单缝夫琅和费衍射 §14-9 光栅衍射及光栅光谱 §14-10 偏振光和自然光 §14-11 起偏和检偏 马吕斯定律 §14-12 反射和折射产生的偏振光 §14-13 双折射现象

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

5.1概述 在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工艺等

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

设P是数域,是一个文字,作多项式环P,一个矩阵如果它的元素是 的多项式,即P[]的元素,就称为-矩阵在这一章讨论λ矩阵的一些性 质,并用这些性质来证明上一章第八节中关于若当标准形的主要定理 因为数域P中的数也是P]的元素,所以在λ矩阵中也包括以数为元素 的矩阵.为了与-矩阵相区别,把以数域P中的数为元素的矩阵称为数字矩 阵.以下用A(),B()…等表示-矩阵 我们知道,P]中的元素可以作加、减、乘三种运算

第六章跨国金融机构 [本章目录] 第一节跨国银行与国际投资 第二节非银行跨国金融机构与国际投资 第三节跨国金融机构与跨国公司、世界金融风险的关系

要求： 扩散的动力学方程 扩散的热力学方程(爱因斯坦－能斯特方程) 扩散机制和扩散系数 固相中的扩散 影响扩散的因素

第十十章教材第十五章国民收入决定理论IS-LM模型 第一节投资的决定 第二节物品市场的均衡与曲线 第三节利率的决定 第四节货币市场的均衡与LM曲线 第五节物品市场和货币市场的同时均衡与IS-LM模型 第六节凯恩斯的基本理论框架

劳动力流动概述:含义、形式、成因及影响因素 劳动力流动的成本－收益分析 工作调整 工作搜寻 劳动力的国际迁移 中国的劳动力流动