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三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)第七章 常用时序逻辑功能器件习题
文档格式:DOC 文档大小:26.5KB 文档页数:2
7-1选择题 1.同步计数器和异步计数器比较,同步计数器的显著优点是控 A.工作速度高B.触发器利用率高C.电路简单D.不受时钟C
长江大学物理科学与技术学院:《大学物理》第三章 电磁感应
文档格式:PPT 文档大小:1.53MB 文档页数:32
一. 电磁感应现象 法拉第于1831年 8月29日发现了电磁感应现象表明电磁感应现象的实验: 1.一 通电线圈电流的变化使另一线圈产生电流
《光纤通信原理课件》第五章 光缆和光纤通信器件
文档格式:PPT 文档大小:268.5KB 文档页数:53
第五章光缆和光纤通信器件 5.1光纤的温度特性和机械特性 5.2光缆的结构和种类 5.3无源光器件 5.4发光二极管器件简介 5.5半导体激光二极管器件 5.6电检测器件 5.7其它新型光通信器件简介
北京大学药学院:《物理化学 Physical Chemistry》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 电化学(5.9)电动势测定
文档格式:PPT 文档大小:453.5KB 文档页数:8
一、判断化学反应方向 方法: 将反应设计为电池
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.6
文档格式:PPT 文档大小:36KB 文档页数:1
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.6
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
文档格式:PDF 文档大小:509.21KB 文档页数:4
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.3
文档格式:PPT 文档大小:153.5KB 文档页数:1
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.3
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.2
文档格式:PPT 文档大小:154KB 文档页数:1
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.2
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.1
文档格式:PPT 文档大小:153.5KB 文档页数:1
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.1
UHP-EAF工艺软件的开发
文档格式:PDF 文档大小:518.52KB 文档页数:6
本文运用\黑箱\的方法对超高功率电弧炉炼钢工艺过程做了系统分析,基于物料衡算、能量衡算和化学平衡建立的数学模型,使用BASIC、DBASE等高级算法语言,对电弧炉炼钢工艺过程计算机操作软件进行了开发研究
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