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一、概述 1.定义:心绞痛是冠A供血不足,引起血 氧供需失衡→心肌暂时缺血缺氧→代谢 产物蓄积→发作性胸痛
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一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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二次型的分类 1.定义:f(x1,x2,xn)=XAX是一个实二次型,若对于任何非零的向量(1C2,cn),恒有f(1,C2n)>0(<0)则称f(x1,x2,…,xn)是正定(负定)二次型,而其对应的矩阵A称为正定(负定)矩阵;
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一种将辐射能转换成电信号的器件,其作用是发现信号、测量信号,为随后的应用提供信息
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he World's Largest-Capacity 8kV/3.6kA Light-Triggered Thyristor by Katsumi sato* Mitsubishi Electric has developed an 8kV/3.6kA light-triggered thyristor (LTT) based on a six inch wafer for power-converter applications in igh-voltage DC transmission and back-to-back systems. New design features give the device
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1.定义:是根据一定的社会需要,以特 定的编排形式和检索方法,为人们迅速提供某方面的基本知识(如字、词、文 句、数据等)或文献资料线索,专供查 阅的特定类型的图书。 2.特点: A.查考性;B.概括性;C.完整性;D易检性
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Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com
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2.1辑变量和逻辑运算 一 、二值逻辑变量用大写字母A、B、C···表示,两种取值0和1,代表一对对立状态,例如开关的通断。 二、存在三种与二值变量有关的逻辑运算“与”:只有决定事物结果的全部条件同时具备(为真)时,结果才发生(为真)
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电机和电动机械均是由耦合的电路和磁路组成。磁路是指磁通的路径,正如电路是电流 的路径一样。电流和永磁体均可提供磁通。在电机中,载流导体与磁场(由导体中的电流或永 磁体产生)的相互作用将导致电机的能量转换 如图1-1所示,将一个长度为l的导体置于一对磁极之间,设导体中流过电流I,导体与磁 通线的相对位置在图上标出。实验表明此时该导体将受到力F的作用,力的大小为
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9.1.7用形式微商判断多项式是否有重因式 定义9.10设f(x)=ax+a1x+…+an-1x+an∈K[x],定义 f\(x)=na\+(n-1)\-+..+[], 称f(x)为f(x)的一阶形式微商
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